[发明专利]一种主动驱动器件及其制作方法在审
| 申请号: | 202010716201.7 | 申请日: | 2020-07-23 |
| 公开(公告)号: | CN113764463A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
| 发明(设计)人: | 张葳葳 | 申请(专利权)人: | 张葳葳 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/56 |
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| 地址: | 100083 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 主动 驱动 器件 及其 制作方法 | ||
一种原始衬底上的主动驱动器件通过转移和扩散分布到任意曲面衬底的各个像素所在位置,采用半导体工艺制作像素电极,再制作显示或者传感器件,形成任意曲面衬底上的主动驱动显示器件或者传感器件。
技术领域
本发明涉及一种主动驱动器件,特别是任意曲面衬底上的主动驱动器件。
背景技术
当前柔性衬底的有机电致发光显示(Organic Light emitting diode,即OLED)技术是在玻璃衬底的透明聚合物上制作多晶硅薄膜晶体管形成有源矩阵电路,再沉积有机发光层形成有机发光器件,完成封装工艺后,利用激光剥离技术,将聚合物和整个显示器件从玻璃衬底上剥离下来。
现有的多晶硅薄膜晶体管的工艺中的高温工艺,如等离子气相沉积、溅射等对透明聚合物性能提出了较高的要求,增加了柔性显示器件的成本。
发明内容
本发明提出了一种可以制作在任意曲面的一种主动驱动器件。
根据本发明的一个方面,主动驱动器件可以是硅基材料的场效应管、硅基材料的晶体管、氮化镓基材料的场效应管、高电子迁移率晶体管(High Electron MobilityTransistor,即HEMT)等。
根据本发明的一个方面,主动驱动器件最初制作在原始衬底上,再转移到所在衬底上。
根据本发明的一个方面,主动驱动器件所转移的衬底上包括显示器件,显示器件可以是有机电致发光器件,也可以是液晶显示器件。
根据本发明的一个方面,主动驱动器件所转移的衬底上包括传感器件,传感器件可以是X光传感器件、红外传感器件、指纹传感器件、压力传感器件。
根据本发明的一个方面,显示器件和传感器件可以通过导线,也可以通过主动驱动器件连接在一起,传感器件的信号可以传到显示器件。
根据本发明的一个方面,衬底上存在的导线可以是金属材料构成,也可以是透明金属化合物材料或者半导体化合物组成,如氧化铟锡、氮化镓等。
根据本发明的一个方面,衬底上存在的导线采用光刻方法形成,也可以采用打印方法。
根据本发明的一个方面,衬底可以是刚性材料的,如玻璃、印刷电路板,衬底也可以是柔性材料的,如聚酰亚胺(polyimide)。
本发明的积极效果在于:
当前,有机电致发光平板显示器件采用的低温多晶硅晶体管技术难以实现大面积均匀性,而在柔性衬底上制作晶体管对整个器件工艺提出了很高的要求。而且,在柔性传感器领域,平板显示动辄几百亿的投资对柔性传感器件并不适用,本发明可以采用芯片厂的工艺为柔性传感器件制作主动驱动器件。采用氮化镓基主动驱动器件,还可以提高耐击穿电压。
附图说明
图1-图6表示任意曲面衬底上的主动驱动器件驱动传感器件的制作流程。
图1表示原始衬底上制作主动驱动器件的结构示意图。
图2表示主动驱动器件转移到可以变形的柔性衬底20上,减薄原始衬底10切割的主动驱动器件的结构示意图。
图3表示扩展上述可以变形的柔性衬底20,将主动驱动器件单元分散开的结构示意图。
图4表示将分散后的主动驱动器件转移到任意曲面衬底30的结构示意图。
图5表示制作导电像素电极的结构示意图。
图6表示制作传感器件的结构示意图。
图7表示制作显示器件的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图描述本发明的具体实施方式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





