[发明专利]场效应晶体管在审
| 申请号： | 202010715844.X | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN111816610A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | S·M·朔贝尔;R·C·朔贝尔 | 申请（专利权）人： | 电路种子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/02;H01L27/092;H03F1/08;H03F3/04;H03F3/16;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
1.一种场效应晶体管，其包括：
a.源极扩散，其连接于源极端子；
b.漏极扩散，其连接于漏极端子；
c.第三扩散，其连接于双向电流端口，介于所述源极扩散和所述漏极扩散之间，用于在所述源极扩散和所述第三扩散之间界定源极沟道部分并且在所述漏极扩散和所述第三扩散之间界定漏极沟道部分；
d.栅极，其与所述源极沟道部分和所述漏极沟道部分电容耦合；
其中，所述源极沟道部分的宽度与长度之比不同于所述漏极沟道部分的宽度与长度之比。
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，利用如下两者之间的比率来确立所述场效应晶体管的跨阻：
a.所述漏极沟道部分的宽度与长度之比；以及
b.所述源极沟道部分的宽度与长度之比。
3.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其中，通过所述跨阻将施加于所述双向电流端口的电流转换为电压。
4.一种场效应晶体管，其包括：
a.源极扩散，其连接于源极端子；
b.漏极扩散，其连接于漏极端子；
c.中间扩散，其连接于中间双向电流端口，该中间扩散介于所述源极扩散和所述漏极扩散之间，用于在所述源极扩散和所述中间扩散之间界定源极沟道部分并且在所述漏极扩散和所述中间扩散之间界定漏极沟道部分；
d.第一栅极端子，其与所述源极沟道部分电容耦合；以及
e.第二栅极端子，其与所述漏极沟道部分电容耦合，
其中，所述源极沟道部分的宽度与长度之比不同于所述漏极沟道的宽度与长度之比。
5.根据权利要求4所述的场效应晶体管，其中，利用如下两者之间的比率来确立所述场效应晶体管的跨阻：
a.所述漏极沟道部分的宽度与长度之比；以及
b.所述源极沟道部分的宽度与长度之比。
6.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其中，通过所述跨阻将施加于所述双向电流端口的电流转换为电压。
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