[发明专利]DCDC转换器的开关驱动电路有效
| 申请号: | 202010713801.8 | 申请日: | 2020-07-23 |
| 公开(公告)号: | CN111600483B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
| 发明(设计)人: | 王冬峰;何云;夏虎;刘桂芝 | 申请(专利权)人: | 上海南麟电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/156 | 分类号: | H02M3/156;H02M1/32;H02M1/088 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 施婷婷 |
| 地址: | 201210 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | dcdc 转换器 开关 驱动 电路 | ||
1.一种DCDC转换器的开关驱动电路,其特征在于,所述DCDC转换器的开关驱动电路包括:
控制信号产生模块、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电容及保护模块;
所述控制信号产生模块连接输入信号,当所述输入信号为高电平时产生高电平的控制信号,当所述输入信号为低电平时产生低电平的控制信号;
所述第一PMOS管、所述第二PMOS管及所述第一NMOS管依次串联于电源电压和参考地之间,所述第一NMOS管的栅极连接所述输入信号,所述第二PMOS管的栅极连接所述控制信号产生模块的输出端,所述第一NMOS管及所述第二PMOS管漏极输出驱动控制信号;
所述第三PMOS管与所述第二NMOS管依次串联于所述第一PMOS管的漏极与所述参考地之间,所述第三PMOS管与所述第二NMOS管的栅极连接所述控制信号产生模块的输出端,所述第三PMOS管与所述第二NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的栅极;
所述第四PMOS管与所述第三NMOS管依次串联于所述电源电压与所述参考地之间,所述第四PMOS管与所述第三NMOS管的栅极连接所述输入信号,所述第四PMOS管与所述第三NMOS管的漏极经由所述第一电容连接所述第一PMOS管的漏极;
所述保护模块连接于所述控制信号产生模块的输出端,当所述控制信号产生模块输出低电平的控制信号时,将所述控制信号的电平拉高,以保护所述第二PMOS管。
2.根据权利要求1所述的DCDC转换器的开关驱动电路,其特征在于:所述控制信号产生模块包括第一非门,第二非门,第二电容、第一电阻及第五PMOS管;所述第一非门的输入端连接所述输入信号,输出端连接所述第二非门的输入端;所述第二非门的输出端连接所述第二电容的第一端;所述第二电容的第二端连接所述第一电阻的第一端;所述第一电阻的第二端输出所述控制信号;所述第五PMOS管的源极连接电源电压,栅极连接所述第一非门的输出端,漏极连接所述第一电阻的第二端。
3.根据权利要求1所述的DCDC转换器的开关驱动电路,其特征在于:所述第一NMOS管及所述第二NMOS管为高耐压结构的NMOS管。
4.根据权利要求1所述的DCDC转换器的开关驱动电路,其特征在于:所述第一电容的容值设置为10pF~1nF。
5.根据权利要求1所述的DCDC转换器的开关驱动电路,其特征在于:所述保护模块包括第六PMOS管及第二电阻;所述第六PMOS管的源极连接所述电源电压,栅极连接所述控制信号产生模块的输出端,漏极经由所述第二电阻连接所述控制信号产生模块的输出端。
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