[发明专利]一种宽带高增益平坦度射频/毫米波功率放大器

权利要求书

1.一种宽带高增益平坦度射频/毫米波功率放大器，其特征在于，功率放大器为三级架构，包括依次连接的第一级stage1电路、第二级stage2电路和输出级stage3电路，第一级stage1电路的频率响应为带内单调递增设置，包括晶体管M1和晶体管M2构成的电流复用共源级；第二级stage2电路包括晶体管M3构成的共源级，输出级stage3电路包括晶体管M4构成的共源级，第二级stage2电路和输出级stage3电路的频率响应为带内单调递减设置；

第一级stage1电路具体为：

晶体管M₁的源级接地；晶体管M₁的栅极分两路，一路经电感L₁和电容C₁后接输入信号RF_in；另一路经晶体管M₁的偏置电阻R_B1接偏置电压V_B1；晶体管M₁的漏极分两路，一路经电容C₂后分两路，一路经电感L₃接晶体管M₂的栅极，另一路经晶体管M₂的偏置电阻R_B接V_DD；晶体管M₁漏极的第二路经电感L₂后分两路，一路经虚地电容C₃接地；另一路与晶体管M₂的源级连接；晶体管M₂的漏极分两路，一路经电感L₄后接V_DD；另一路经电容C₄后与第二级电路中晶体管M₃的栅极连接，电感L₃将晶体管M₂源级贡献的原始极点pole₂分裂成两个高频共轭极点pole₂΄和pole₂΄΄；且电感L₃和电容C₂谐振能够提供一个高频增益尖峰。

2.根据权利要求1所述的宽带高增益平坦度射频/毫米波功率放大器，其特征在于，第二级stage2电路具体为：

晶体管M₃的栅极分两路，一路经电容C₄再与电流复用共源级中晶体管M₂的漏极连接，另一路经第二级的偏置电阻R_B2接偏置电压V_B2；晶体管M₃的源级接地；晶体管M₃的漏极分两路，一路电感L₅接V_DD；另一路经电容C₅和电感L₆后与输出级电路晶体管M₄的栅极连接。

3.根据权利要求1所述的宽带高增益平坦度射频/毫米波功率放大器，其特征在于，输出级stage3电路具体为：

晶体管M₄的栅极分两路，一路经电感L₆和电容C₅后与晶体管M₃的漏极连接，另一路经输出级的偏置电阻R_B3接偏置电压V_B3；晶体管M₄的源级接地；晶体管M₄的漏极分两路，一路经电感L₇接V_DD；另一路经电容C₆后分两路，一路经电感L₈接地，另一路用于输出RF_out。