[发明专利]一种化成箔的制造方法以及铝电解电容负极箔

说明书

本发明涉及化成箔加工技术领域，特别涉及一种化成箔的制造方法以及铝电解电容负极箔，包括腐蚀过程和附膜过程；其中所述附膜过程包括：将完成腐蚀过程的铝箔依次浸泡于磷酸溶液和有机磷酸溶液。本发明的发明目的在于提供一种化成箔的制造方法以及铝电解电容负极箔，采用本发明提供的技术方案能够在化成箔表面获得品质优良的保护膜，提高了现有化成箔的静电容量。

技术领域

本发明涉及化成箔加工技术领域，特别涉及一种化成箔的制造方法以及铝电解电容负极箔。

技术背景

化成箔是一种作为储能元件的极性箔。在铝电解电容器中，采用铝箔通过化工加工形成的化成箔作为负极箔。用于铝电解电容器的负极箔，为了增加静电容量，利用化学腐蚀或电化学腐蚀的方法扩大铝箔的表面积。

其中腐蚀液的主要成分一般为盐酸，在表面腐蚀工序完成后，为了减少残留在铝箔表面的腐蚀液与铝箔残渣，通常会用稀硫酸或者稀硝酸水溶液进行清洗。

清洗完了的铝箔，一般称为腐蚀箔，如果不作附膜处理的话，其静电容量会随着放置时间的延长而逐步降低。与腐蚀后的初始静电容量相比，半年后的静电容量减少有时可达到30％以上。这种静电容量减少现象产生的原因，是腐蚀箔表面上逐渐生成一层氧化膜，氧化膜堵塞了一部分较小的腐蚀孔洞，导致腐蚀箔真实表面积降低所引起的。

为了减少这种静电容量损失，常常是通过化学或阳极氧化的方法在腐蚀箔表面上予先附加一层特殊氧化膜来抑制放置期间的氧化膜生长，达到稳定静电容量的目的。因为这一层特殊氧化膜本身也具有一定厚度，也会引起一定的静电容量减少。所以对这层特殊氧化膜的品质改善有很強烈的要求。

发明内容

本发明的发明目的在于提供一种化成箔的制造方法以及铝电解电容负极箔，采用本发明提供的技术方案能够在化成箔表面获得品质优良的保护膜，提高了现有化成箔的静电容量。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种化成箔的制造方法，包括腐蚀过程和附膜过程；其中所述附膜过程包括：将完成腐蚀过程的铝箔依次浸泡于磷酸溶液和有机磷酸溶液；

所述磷酸溶液的浸泡条件包括：磷酸溶液的浓度为0.15N/L-0.35N/L，溶液温度为40℃-70℃，浸泡时间为5S-30S；

所述有机磷酸溶液的浸泡条件包括：有机磷酸溶液中的有机磷酸的浓度为0.25％-1.2％，浸泡温度为40℃-65℃，浸泡时间为2S-20S。

优选的，所述有机磷酸溶液中的有机磷酸为二乙烯三胺五甲叉膦酸(DTPMP)或氨基三甲叉膦酸(ATMP)。

优选的，所述腐蚀过程为化学腐蚀过程或电化学腐蚀过程。

优选的，所述化学腐蚀过程依次包括清洗铝箔表面油污的预清洗步骤、扩大表面积的腐蚀步骤、清洗腐蚀残留物的化学清洗步骤。

优选的，所述预清洗步骤为将铝箔在NaOH溶液中浸泡，所述腐蚀步骤为将预清洗步骤后的铝箔在盐酸溶液中浸泡，所述化学清洗步骤为将腐蚀步骤后的铝箔依次在硫酸溶液和硝酸溶液中浸泡。

本发明另一方面还提供一种铝电解电容负极箔，由上述任一项制造方法制造的化成箔制备形成。

由上可知，应用本发明提供的可以得到以下有益效果：在腐蚀过程与化学清洗过程之后，用磷酸溶液浸泡腐蚀箔后，再加有机膦酸或有机膦酸盐浸泡后能获得品质优良的保护膜，大幅度提高现有负极腐蚀箔的静电容量。

具体实施方式

下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。