[发明专利]一种铌酸锂晶圆的减薄方法

权利要求书

1.一种铌酸锂晶圆的减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一铌酸锂晶圆，在所述铌酸锂晶圆的背面贴第一划片胶膜，并沿所述铌酸锂晶圆正面的切割道进行预切割至预定深度；

去除所述第一划片胶膜，在所述铌酸锂晶圆的正面贴磨片胶膜，所述磨片胶膜为双层胶膜；

对所述铌酸锂晶圆的背面进行研磨至晶粒分离；

在所述铌酸锂晶圆的背面贴第二划片胶膜，再去除所述磨片胶膜。

2.根据权利要求1所述的铌酸锂晶圆的减薄方法，其特征在于，在提供一铌酸锂晶圆，在所述铌酸锂晶圆的背面贴第一划片胶膜，并沿所述铌酸锂晶圆正面的切割道进行预切割至预定深度的步骤中，所述划片胶膜具有软质基材，所述划片胶膜的型号为琳得科Lintec公司的V-8AR胶膜。

3.根据权利要求1所述的铌酸锂晶圆的减薄方法，其特征在于，在提供一铌酸锂晶圆，在所述铌酸锂晶圆的背面贴第一划片胶膜，并沿所述铌酸锂晶圆正面的切割道进行预切割至预定深度的步骤中，所述预定深度根据铌酸锂晶圆的目标厚度确定，所述预定深度大于铌酸锂晶圆的目标厚度。

4.根据权利要求1所述的铌酸锂晶圆的减薄方法，其特征在于，在提供一铌酸锂晶圆，在所述铌酸锂晶圆的背面贴第一划片胶膜，并沿所述铌酸锂晶圆正面的切割道进行预切割至预定深度的步骤中，预切割采用粒度3000#的研磨轮，转速为30000rpm，进给速度为20±0.5mm/s。

5.根据权利要求1所述的铌酸锂晶圆的减薄方法，其特征在于，在去除所述第一划片胶膜，在所述铌酸锂晶圆的正面贴磨片胶膜，所述磨片胶膜为双层胶膜的步骤中，所述双层胶膜包括琳得科Lintec公司的E-4230胶膜和琳得科Lintec公司的E-3281胶膜，其中所述E-4230胶膜贴覆于所述铌酸锂晶圆的正面，所述E-3281胶膜贴覆于所述E-4230胶膜的表面。

6.根据权利要求5所述的铌酸锂晶圆的减薄方法，其特征在于，去除所述第一划片胶膜，在所述铌酸锂晶圆的正面贴磨片胶膜，所述磨片胶膜为双层胶膜，具体包括：所述E-4230胶膜的厚度为230um，所述E-3281胶膜的厚度为280um。

7.根据权利要求1所述的铌酸锂晶圆的减薄方法，其特征在于，对所述铌酸锂晶圆的背面进行研磨至晶粒分离，具体包括：研磨过程包括粗磨和精磨过程，粗磨时，采用粒度800#的第一研磨轮；精磨时，采用粒度3000#或5000#的第二研磨轮。

8.根据权利要求7所述的铌酸锂晶圆的减薄方法，其特征在于，在对所述铌酸锂晶圆的背面进行研磨至晶粒分离的步骤中，所述粗磨过程包括三个子阶段，所述第一研磨轮在三个子阶段的纵向进给速度依次为0.18±0.05um/s、0.25±0.05um/s、0.25±0.05um/s。

9.根据权利要求7所述的铌酸锂晶圆的减薄方法，其特征在于，在对所述铌酸锂晶圆的背面进行研磨至晶粒分离的步骤中，所述精磨过程包括三个子阶段，所述第二研磨轮在三个子阶段的纵向进给速度依次为0.1±0.05um/s、0.12±0.05um/s、0.1±0.05um/s。

10.根据权利要求1所述的铌酸锂晶圆的减薄方法，其特征在于，在所述铌酸锂晶圆的背面贴第二划片胶膜，再去除所述磨片胶膜，具体包括：采用UV解胶后揭除的方式去除所述磨片胶膜。