[发明专利]一种氮化硅瓷片界面改性方法及覆铜陶瓷基板制备方法

权利要求书

1.一种氮化硅瓷片界面改性方法，其特征在于，采用超细α-氮化硅粉末对AMB覆铜陶瓷基板中的氮化硅瓷片进行界面改性，包括如下步骤：

1)改性溶液制备

将粒径为20～20000nm的α-氮化硅粉末与分散剂聚丙烯酸铵加入至溶剂中搅拌均匀，得到α-氮化硅粉末含量为0.003～0.02g/mL的改性溶液；

2)改性瓷片制备

将步骤1)中的改性溶液均匀涂覆在氮化硅瓷片上并在80～220℃条件下烘干。

2.根据权利要求1所述的氮化硅瓷片界面改性方法，其特征在于：

其中，步骤1)中，α-氮化硅粉末的粒径为20～100nm，改性溶液中α-氮化硅粉末含量为0.005～0.01g/mL。

3.根据权利要求1所述的氮化硅瓷片界面改性方法，其特征在于：

其中，步骤1)中，聚丙烯酸铵与α-氮化硅粉末的质量比为0.5％-3％。

4.采用权利要求1中的氮化硅瓷片界面改性方法，其特征在于：

其中，步骤1)中，溶剂为乙醇、丙酮、纯水中的一种或者几种混合。

5.根据权利要求4所述的氮化硅瓷片界面改性方法，其特征在于：

其中，步骤2)中，涂覆方式包括喷涂、丝网印刷或涂布，

改性后瓷片在80～220℃条件下烘干10～30min。

6.一种AMB覆铜陶瓷基板用界面改性氮化硅瓷片，其特征在于，该氮化硅瓷片的界面改性方法如权利要求1～5任一项所述。

7.一种界面改性覆铜陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：指将金属焊片与改性瓷片、铜片进行层叠堆垛后放入真空钎焊炉中进行真空烧结，

其中，所述改性瓷片为权利要求6所述的AMB覆铜陶瓷基板用界面改性氮化硅瓷片。

8.根据权利要求7所述的界面改性覆铜陶瓷基板的制备方法，其特征在于：

其中，所述金属焊片厚度为8-30μm，该金属焊片中活性金属元素为Ti、Zr、Hf、Cr、V、Si、Al中的一种或者两种以上的组合。

9.根据权利要求7或8所述的界面改性覆铜陶瓷基板的制备方法制备得到的覆铜陶瓷基板。