[发明专利]数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法

说明书

本发明涉及数据储存装置的高效修整技术所对应的背景式主机‑装置映射表更新，其中一控制器翻转一修整位元总表内的一目标位元，且将该目标位元所标示，一特定长度的一目标修整更新至一主机‑装置映射表。该控制器将该目标修整的起始逻辑地址以及长度快取于一暂存存储器的一快取区，以自该快取区冲至该非挥发式存储器。该目标位元属于该修整位元总表中的一目标修整位元子表。该控制器还将该目标位元翻转后的该目标修整位元子表快取于该快取区，以自该快取区冲至该非挥发式存储器。

技术领域

本发明有关于数据储存装置的修整(trimming)技术。

背景技术

非挥发式存储器有多种形式─例如，快闪存储器(flash memory)、磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive RAM)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric RAM)、电阻式随机存取存储器(Resistive RAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(Spin Transfer Torque-RAM，STT-RAM)…等，用于长时间数据保存，可做为储存媒体实现一数据储存装置。

非挥发式存储器通常有其特殊的储存特性。本技术领域需要相应非挥发式存储器的储存特性发展相应的控制技术。例如，符合非挥发式存储器储存特性的修整(trimming)技术。

发明内容

本发明相应一种高效修整技术，提出一主机-装置映射表的背景式更新。

根据本发明一种实施方式实现的一数据储存装置包括一非挥发式存储器、以及耦接该非挥发式存储器的一控制器以及一暂存存储器。该控制器系建构来翻转一修整位元总表内的一目标位元，且将该目标位元所标示，一特定长度的一目标修整更新至一主机-装置映射表。该控制器将该目标修整的起始逻辑地址地址以及长度快取于该暂存存储器的一快取区，以自该快取区冲至该非挥发式存储器。该目标位元属于该修整位元总表中的一目标修整位元子表。该控制器更将该目标位元翻转后的该目标修整位元子表快取于该快取区，以自该快取区冲至该非挥发式存储器。

一种实施方式中，该控制器是对应该目标修整，将虚置映射数据填入该主机-装置映射表。

一种实施方式中，该控制器还在该暂存存储器上管理一修整资讯旗标表，对应该快取区的多个储存格，标示该快取区所载的该目标修整的起始逻辑地址以及长度、且标示该快取区所载的该目标修整位元子表。该控制器还令该修整资讯旗标表，随着该快取区冲至该非挥发式存储器。

一种实施方式中，该控制器还在该暂存存储器上管理一储存资讯表，对应该快取区的上述多个储存格，在对应的储存格储存使用者数据时记录一逻辑地址，在对应的储存格载有该目标修整位元子表时记录一目标子表编号，且在对应的储存格载有该目标修整的起始逻辑地址以及长度时，记录一部分修整代号。该控制器还令该储存资讯表，随着该快取区冲至该非挥发式存储器。

一种实施方式中，该目标修整的起始逻辑地址以及长度结合虚置数据占据该快取区一个储存格的一半容量。该目标修整位元子表的尺寸为一个储存格的一半容量。该目标修整的起始逻辑地址以及长度结合虚置数据快取于一目标储存格前半段时，该储存资讯表中对应该目标储存格的资讯是以前半段记录该部分修整代号。该目标修整位元子表快取于该目标储存格后半段时，该储存资讯表中对应该目标储存格的资讯是以后半段记录该目标子表编号。

一种实施方式中，该控制器令该目标位元遍历该修整位元总表，完整翻转该修整位元总表，将该修整位元总表标示的所有修整都更新至该主机-装置映射表。此部分可在该控制器回应一主机发出的多个指令之间的闲置时间执行。

一种实施方式中，相应该主机发下的一写入指令，该控制器查询该修整位元总表。该写入指令要求写入的逻辑地址区间在该修整位元总表内标示为已修整时，该控制器根据该逻辑地址区间设定该目标位元，翻转该目标位元，将该目标修整更新至该主机-装置映射表，才于该快取区快取该写入指令要求的一写入数据，且修正该主机-装置映射表，令该逻辑地址区间指向该快取区快取的该写入数据。