[发明专利]激活存储器装置的输入/输出线的方法以及相关装置及系统在审

专利信息
申请号: 202010709016.5 申请日: 2020-07-22
公开(公告)号: CN112652336A 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 高野洋介;清水淳史 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C7/22
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 激活 存储器 装置 输入 输出 方法 以及 相关 系统
【说明书】:

本申请案涉及激活存储器装置的输入/输出线的方法,以及相关装置及系统。一种方法可包含:产生第一控制信号以在第一时间激活与存储器库的第一数据端子区域相关联的第一数目个主要输入/输出MIO线。所述方法还可包含:产生第二控制信号以在第二后续时间激活与所述存储器库的第二数据端子区域相关联的第二数目个MIO线。此外,所述方法可包含:响应于命令而将所述第一控制信号及所述第二控制信号中的每一者复位。还揭示相关联设备及系统。

优先权主张

本申请案主张2019年10月10日提出申请的美国专利申请案第16/598,938号“激活存储器装置的输入/输出线的方法以及相关装置及系统(Methods of Activating Input/Output Lines of Memory Devices,and Related Devices and Systems)”的申请日期的权益。

技术领域

本发明的实施例涉及激活存储器装置的输入/输出线。更具体来说,各种实施例涉及经由一定数目个控制信号而激活存储器装置的一定数目个主要输入/输出线,且涉及相关方法、装置及系统。

背景技术

存储器装置通常经提供为计算机或其它电子系统中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器,包含(举例来说)随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、双倍数据速率存储器(DDR)、低功率双倍数据速率存储器(LPDDR)、相变存储器(PCM)及快闪存储器。

存储器装置通常包含布置于存储器阵列中且能够保持表示数据位的电荷的许多存储器单元。数据可经由输入/输出线(例如局部输入/输出线(LIO)及主要输入/输出(MIO)线)而被写入到存储器单元或从所述存储器单元被检索。

发明内容

本发明的各种实施例可包含一种设备。所述设备可包含存储器阵列,所述存储器阵列包含一定数目个存储器库。所述数目个存储器库中的每一存储器库可包含耦合到第一数目个主要输入/输出(MIO)线的第一区域及耦合到第二数目个MIO线的第二区域。所述设备还可包含耦合到所述存储器阵列的信号产生器。所述信号产生器可经配置以产生第一控制信号,所述第一控制信号在第一时间激活所述第一数目个MIO线。所述信号产生器还可经配置以产生第二控制信号,所述第二控制信号在第二后续时间激活所述第二数目个MIO线。

本发明的一或多个其它实施例包含一种操作存储器装置的方法。所述方法可包含:产生第一控制信号以在第一时间激活耦合到存储器库的第一数据端子区域的第一数目个主要输入/输出(MIO)线。所述方法还可包含产生第二控制信号以在第二后续时间激活耦合到所述存储器库的第二数据端子区域的第二数目个MIO线。所述方法可进一步包含响应于命令而将所述第一控制信号及所述第二控制信号中的每一者复位。

本发明的额外实施例包含一种电子系统。所述电子系统可包含至少一个输入装置、至少一个输出装置以及以可操作方式耦合到所述输入装置及所述输出装置的至少一个处理器装置。所述电子系统还可包含至少一个存储器装置,所述至少一个存储器装置以可操作方式耦合到所述至少一个处理器装置且包括控制器。所述控制器可经配置以在第一时间激活存储器库的第一数目个主要输入/输出(MIO)线。所述控制器还可经配置以在第二后续时间激活所述存储器库的第二数目个MIO线。

附图说明

图1是根据本发明的各种实施例的实例性存储器装置的框图。

图2是根据本发明的各种实施例的包含一定数目个存储器库群组的实例性存储器装置的另一描绘。

图3A描绘根据本发明的各种实施例的包含一定数目个库区域的实例性存储器装置的一部分。

图3B图解说明根据本发明的各种实施例的实例性存储器装置的区域。

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