[发明专利]一种生长蓝宝石单晶的锥形籽晶结构在审

专利信息
申请号: 202010707068.9 申请日: 2020-07-21
公开(公告)号: CN111778558A 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 左洪波;杨鑫宏;李铁;李忠雪;杨立明 申请(专利权)人: 哈尔滨秋硕半导体科技有限公司
主分类号: C30B29/20 分类号: C30B29/20;C30B17/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150001 黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 生长 蓝宝石 锥形 籽晶 结构
【权利要求书】:

1.一种生长蓝宝石单晶的锥形籽晶结构,其特征在于该结构整体为呈锥形的锥形籽晶,包括嵌入籽晶夹内部分呈倒梯形的倒梯形籽晶、位于中间长方形四面棱角倒角的长方形籽晶和底部呈半球锥状的半球锥状籽晶;倒梯形籽晶整体嵌入在籽晶夹内,表面设置有增强与籽晶夹之间摩擦力的直线型凹槽,并在其上部拐角处进行倒圆角设计;中间位置是四面倒角的长方形籽晶,该位置上端与倒梯形籽晶衔接,下端与半球锥状籽晶衔接;底部半球锥状籽晶的中心与长方形籽晶及倒锥形籽晶三者中心轴一致,底部与溶体液面接触。

2.根据权利要求1所述的一种生长蓝宝石单晶的锥形籽晶结构,其特征在于所述的锥形籽晶结构整体高度为70-150mm。

3.根据权利要求2所述的一种生长蓝宝石单晶的锥形籽晶结构,其特征在于所述的半球锥状籽晶设置在锥形籽晶在距离底部20-40mm处。

4.根据权利要求3所述的一种生长蓝宝石单晶的锥形籽晶结构,其特征在于所述的

半球锥状籽晶整体高度为20-40mm,直径范围为Φ8-Φ20mm。

5.根据权利要求4所述的一种生长蓝宝石单晶的锥形籽晶结构,其特征在于所述的锥形籽晶结构由上到下籽晶直径逐渐变小,在外观上整体呈锥形状;倒梯形籽晶上端宽度为35-50mm,上端长度为15-35mm,倒梯形籽晶下端宽度为20-35mm,底端长度为8-20mm;高度20-40mm,在籽晶夹夹口方向开有4-6个宽为1.5-3mm的凹槽,槽的深度为0.5-2mm,倒梯形籽晶与下端长方形籽晶衔接处呈145°-160°角度。

6.根据权利要求5所述的一种生长蓝宝石单晶的锥形籽晶结构,其特征在于所述的长方形籽晶高度为35-45mm,宽度为20-30mm,在上下两端衔接处设置有倒角;倒梯形籽晶上部拐角处设置有倒圆角,倒角量为R0.8-R2mm;长方形籽晶高度为40-70mm,长度为8-20mm;四面倒角量为R1-R4mm。

7.根据权利要求6所述的一种生长蓝宝石单晶的锥形籽晶结构,其特征在于所述的半球锥状籽晶高度为20-40mm,呈30°-45°锥形角度,籽晶底端直径为Φ8-Φ20mm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨秋硕半导体科技有限公司,未经哈尔滨秋硕半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010707068.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top