[发明专利]全各向异性媒质的仿真方法、装置、计算机设备及存储介质在审
申请号: | 202010705827.8 | 申请日: | 2020-07-21 |
公开(公告)号: | CN111899329A | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 张玉贤;冯乃星;汪国平 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | G06T17/00 | 分类号: | G06T17/00 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 武志峰 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 各向异性媒质 仿真 方法 装置 计算机 设备 存储 介质 | ||
1.一种全各向异性媒质的仿真方法,其特征在于,包括:
建立待仿真材料的电磁场模型,以及建立待仿真材料的3D几何模型;
对所述3D几何模型赋予材料属性;
设置初始条件和边界条件;
利用平面电磁波斜入射所述待仿真材料的3D几何模型,通过FDTD方法的模拟仿真,记录每一个时间步的时间域电磁场量,并通过离散傅立叶变换得到频率域的电磁场量,并计算所述电磁波的复反射系数和复透射系数;
其中,所述电磁波的反射系数和复透射系数按如下公式计算得到:
其中,Γq,TE(f)和Tq,TE(f)分别表示TE波的复反射系数和复透射系数,Γq,TM(f)和Tq,TM(f)分别表示TM波的复反射系数和复透射系数,Einc(f)、Eref,q(f)和Etra,q(f)分别为通过FDTD方法计算时域场通过傅里叶变换得到的TE波入射场、反射场以及透射场,Hinc(f)、Href,q(f)和Htra,q(f)分别为通过FDTD计算时域场通过傅里叶变换得到的TM波入射场、反射场以及透射场,kz为空气中的纵向波矢,drt表示入射区域和透射区域的测量距离。
2.根据权利要求1所述的全各向异性媒质的仿真方法,其特征在于,还包括:
按下式计算所述平面电磁波的最小截止频率fmin:
其中,kx和ky分别表示平面电磁波在x和y方向的波矢分量,k为波数,c为入射电磁波的速度。
3.根据权利要求2所述的全各向异性媒质的仿真方法,其特征在于,还包括:
将在边界面x=0以及边界面y=0的周期边界处的电磁场分量表示为:
其中,Px和Py分别为沿x方向和y方向的周期结构的长度;
利用傅立叶变换,使得截断边界面x=0和y=0处的时间域电磁场分量满足以下Bloch-Floquet周期条件:
4.根据权利要求3所述的全各向异性媒质的仿真方法,其特征在于,还包括:
确定在边界面y=0上各向异性电磁FDTD的各分量计算公式:
其中(Ex,Ey,Ez)和(Hx,Hy,Hz)分别表示时域有限差分法中在x,y,z三个方向上的电场强度和磁场强度,Ep,q(p,q=x,y,z)表示电场强度分量Ep在全各向异性FDTD中的q方向上的激发场值;
矩阵PH,QH,PE以及QE分别为:
PH=(μΔt-1+0.5σm)-1(μΔt-1-0.5σm)
QH=(μΔt-1+0.5σm)-1
PE=(εΔt-1+0.5σe)-1(εΔt-1-0.5σe)
QE=(εΔt-1+0.5σe)-1
ε、μ、σe、σm分别为电容率张量、磁导率张量、电导率张量以及磁损耗张量。
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