[发明专利]非晶薄膜形成方法在审
| 申请号： | 202010704396.3 | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111799153A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 申承祐;柳次英;郑愚德;崔豪珉;吴完锡;李郡禹;权赫龙;金基镐 | 申请（专利权）人： | 株式会社EUGENE科技 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3205;C23C16/22;C23C16/24;C23C16/38;C23C16/42;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京纽盟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11456 | 代理人： | 许玉顺 |
| 地址： | 韩国京畿道龙*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 | ||
1.一种非晶薄膜的形成方法，其特征在于，包括：
在基底上流过氨基硅烷系气体，从而在上述基底表面形成种子层的工序；及
在上述种子层上形成既定厚度的非晶薄膜的工序；
其中，上述的形成上述非晶薄膜的工序包括：
在上述种子层上形成第一非晶硅薄膜的工序，该第一非晶硅薄膜掺杂硼并具有的第一厚度；
在上述第一非晶硅薄膜上形成第二非晶硅薄膜的工序，该第二非晶硅薄膜掺杂硼并具有以上的第二厚度；
使用于形成上述第一非晶硅薄膜的工序的第一源气体包括含硼气体及硅烷系气体且供给到上述种子层；
使用于形成上述第二非晶硅薄膜的工序的第二源气体包括含硼气体和硅烷系气体，且上述第二源气体与上述第一源气体不同，而且上述第二源气体被供给到上述第一非晶硅薄膜，
其中，上述第一源气体中包括15000sccm的N2，上述第二源气体中包括5000sccm的N2和3000sccm的H2。
2.如权利要求1所述的非晶薄膜的形成方法，其特征在于，
上述含硼气体为B2H6。
3.如权利要求1所述的非晶薄膜的形成方法，其特征在于，
上述第一源气体中包含的硅烷系气体为SiH4，
上述第二源气体中包含的硅烷系气体为SiH4。
4.如权利要求1所述的非晶薄膜的形成方法，其特征在于，
上述第一源气体是150sccm的SiH4、50sccm的B2H6以及15000sccm的N2的混合气体，
上述第二源气体是150sccm的SiH4、50sccm的B2H6、5000sccm的N2以及3000sccm的H2的混合气体。
5.如权利要求4所述的非晶薄膜的形成方法，其特征在于，
上述形成上述第一非晶硅薄膜和形成上述第二非锗薄膜是在300℃执行。
6.如权利要求5所述的非晶薄膜的形成方法，其特征在于，
上述第一非晶硅薄膜和上述第二非锗薄膜的总厚度为以上。
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