[发明专利]存储装置及存储装置的制造方法

权利要求书

1.一种存储装置，具备：

第1芯片，包含第1绝缘层及第1焊垫；

多个存储器部，设置在所述第1绝缘层的第1区域内，以第1间隔排列在与所述第1芯片的表面平行的第1方向上；

多个第1标记部，设置在所述第1绝缘层的第2区域内，以第2间隔排列在所述第1方向上；

第2芯片，在与所述第1芯片的表面垂直的第2方向上与所述第1芯片重叠，包含连接于所述第1焊垫的第2焊垫；及

电路，设置在所述第2芯片内。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中

所述多个存储器部分别包含第1柱状部，该第1柱状部在所述第1绝缘层内在所述第2方向上延伸，

所述多个标记部分别包含第2柱状部，该第2柱状部在所述第1绝缘层内在所述第2方向上延伸。

3.根据权利要求1或2所述的存储装置，其进而具备多个第1部件，

这些多个第1部件设置在所述第1绝缘层内的所述第1区域与所述第2区域之间的第3区域内，

所述多个存储器部以第1布局图案配置在所述第1区域内，

所述多个第1标记部以所述第1布局图案配置在所述第2区域内，

所述多个第1部件以无规的布局图案配置在所述第3区域内。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的存储装置，其进而具备以无规的布局图案设置在所述第2区域内的多个第2部件。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的存储装置，其中

所述第1绝缘层为氧化铝层。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的存储装置，其中

所述存储器部包含磁性体、及与所述磁性体的一端连接的再生元件。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的存储装置，其中

所述存储器部包含电容器。

8.一种存储装置的制造方法，包括如下工序：

使用阳极氧化在第1衬底上形成氧化物层，该氧化物层包含具有第1间隔而排列的多个第1孔及具有第2间隔而排列的多个第2孔；

在所述多个第1孔分别形成多个存储器部，在所述多个第2孔内分别形成多个第1标记部；及

将所述氧化物层上的设有第1焊垫的第1面贴合于第2衬底的设有第2焊垫的第2面。

9.根据权利要求8所述的存储装置的制造方法，其中

在所述多个第1孔内及所述多个第2孔内分别形成所述存储器部的第1部件后，在所述多个第2孔内的所述第1部件上形成第2部件，从而形成所述第1标记部。

10.根据权利要求8或9所述的存储装置的制造方法，其中

使用所述第1标记部与所述第2衬底的第2标记部，进行所述第1衬底与所述第2衬底的对位。

11.根据权利要求8或9所述的存储装置的制造方法，其中

使用第3标记部或第4标记部，进行所述第1衬底与所述第2衬底的对位，所述第3标记部是使用所述第1标记部形成在所述氧化物层上的第1绝缘层内，所述第4标记部是使用所述第2衬底的第2标记部形成在所述第2衬底上的第2绝缘层内。

12.根据权利要求8至11中任一项所述的存储装置的制造方法，其中

使用所述第1标记部，进行用于形成所述第1焊垫的光刻的对位。

13.根据权利要求8至11中任一项所述的存储装置的制造方法，其中

使用第3标记部，进行用于形成所述第1焊垫的光刻的对位，所述第3标记部是使用所述第1标记部形成在所述氧化物层上的第1绝缘层内。

14.根据权利要求8至13中任一项所述的存储装置的制造方法，其进而包括如下工序：将所述第1面贴合在所述第2面后，去除所述第1衬底。