[发明专利]半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一基底；

多个电容接触点，位在该基底上，所述多个电容接触点至少其一具有一颈部以及一头部，该头部位在颈部上，其中该头部的一上宽度大于该颈部的一上宽度；

多个位元线接触点以及多个位元线，所述多个位元线接触点位在该基底上，所述多个位元线位在所述多个位元线接触点上，其中所述多个位元线至少其一为一波形线，该波形线在二相邻电容接触点之间延伸；以及

一电容结构，位在该头部上。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该头部的该上宽度大于该头部的一下宽度。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该颈部的该上宽度大致地相同于该头部的一下宽度。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该头部具有一弧形侧壁。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该头部具有一锥形轮廓。

6.如权利要求1所述的半导体元件，还包括含钨的一导电部件，该导电部件位在该基底上。

7.如权利要求6所述的半导体元件，还包括含氮化钨的一包覆层，该包覆层位在该导电部件的一顶表面上。

8.如权利要求6所述的半导体元件，其中该导电部件位在所述电容结构下。

9.如权利要求6所述的半导体元件，其中该导电部件位在所述电容结构上。

10.如权利要求6所述的半导体元件，还包括多个字元线以及一掺杂区，所述多个字元线位在该基底中，该掺杂区位在所述多个字元线其中一对之间，其中导电部件位在该掺杂区上。

11.一种半导体元件的制备方法，包括：

提供一基底；

在该基底的一第一部位上形成多个位元线接触点；

在所述多个位元线接触点上形成多个位元线；

在该基底的一第二部位形成一电容接触点，该电容接触点具有一颈部，并在该颈部上形成一头部，其中该头部的一上宽度大于该颈部的一上部位；以及

在该头部上形成一电容结构；

其中所述多个位元线的至少其一为一波形线，该波形线在二相邻电容接触点之间延伸。

12.如权利要求11所述的半导体元件的制备方法，其中形成一电容接触点包括：

形成一接触孔，该接触孔为一介电堆叠，该介电堆叠具有一第一层以及一第二层，该第二层位在该第一层上；

移除该第二层围绕该接触孔的一部分，以形成一转换孔，该转换孔具有一窄部以及一宽部，该窄部位在该第一层中，该宽部位在该第二层中；以及

将一导电材料充填入该转换孔。

13.如权利要求12所述的半导体元件的制备方法，其中该接触孔与一位元线沟槽一体成形在该第二层中。

14.如权利要求13所述的半导体元件的制备方法，还包括：以一填充材料充填该位元线沟槽与该接触孔的一下部位。

15.如权利要求14所述的半导体元件的制备方法，其中移除该第二层围绕该接触孔的一部分是在以一牺牲材料充填该接触孔的该下部位之后才执行。

16.如权利要求11所述的半导体元件的制备方法，还包括：

在该基底上形成含有钨的一导电部件；以及

在该导电部件的一顶表面上形成含有氮化钨的一包覆层。