[发明专利]一种利用TSV和TGV的减薄晶圆封装工艺

权利要求书

1.一种利用TSV和TGV的减薄晶圆封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、通过黄光制程在晶圆正面进行RDL布线，然后将晶圆正面键合玻璃载板，完成背面减薄，通过黄光制程或Laser穿孔结合蚀刻技术在晶圆背面制作TSV连通孔；

S2、在TSV连通孔侧壁及底部化学电镀Ni/Pd/Cu种子层seed layer；

S3、再用电极电镀将Cu填充入TSV连通孔，通过化学机械平坦化CMP抛光晶圆背面，完成TSV通孔填充；

S4、在晶圆背面涂布光阻，通过ECP工艺于晶圆背面对应TSV连通孔处做晶圆铜柱凸块Cu Pillar；

S5、在晶圆铜柱凸块Cu Pillar表面进行化学电镀形成Ni/Pd/Au金属叠层MetalStack，完成TSV通孔连通；

S6、通过黄光制程或Laser穿孔结合蚀刻技术在玻璃载板的背面制作TGV连通孔；

S7、运用化学电镀形成在玻璃载板表面及TGV连通孔侧壁和底部形成Ni/Pd/Cu种子层Seed layer，

S8、在玻璃载板表面涂布光阻，再用电极电镀将Cu填充入TGV连通孔并形成铜柱凸块CuPillar；

S9、通过黄光工艺在玻璃载板的背面形成RDL的线路图案；

S10、去除光阻，蚀刻除去玻璃载板背面铜柱凸块Cu Pillar覆盖区域之外的Ni/Pd/Cu种子层Seed layer；

S11、进行无电极化学电镀于玻璃载板铜柱凸块Cu Pillar表面形成Ni/Pd/Au金属叠层覆盖，完成TGV通孔连通；

S12、完成TSV及TGV的连通孔连线制作后，将TSV及TGV的连通孔连线分别焊接Clip或Board，完成高集积度、低延时传导的3D架构。

2.根据权利要求1所述的利用TSV和TGV的减薄晶圆封装工艺，其特征在于，所述步骤S1中TSV连通孔连接至晶圆正面铜或铝的金属层，所述金属层已完成侧壁绝缘SidewallPassivation，可以进行化学化镀。

3.根据权利要求1所述的利用TSV和TGV的减薄晶圆封装工艺，其特征在于，所述步骤S6中TGV连通孔连接至晶圆正面PAD。

4.根据权利要求1所述的利用TSV和TGV的减薄晶圆封装工艺，其特征在于，所述Ni/Pd/Cu种子层Seed layer厚度小于1um。