[发明专利]氮化硼气凝胶相变薄膜、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种氮化硼气凝胶相变薄膜的制备方法，其特征在于包括：

提供三聚氰胺硼酸盐基材料，所述三聚氰胺硼酸盐基材料包括主体材料与添加剂，所述主体材料包括硼酸和三聚氰胺，所述硼酸与三聚氰胺的质量比为1：10~10：1，所述添加剂选自三聚氰酸、缩二脲、二甲基胍、三乙胺中的任意一种或两种以上的组合，所述三聚氰胺硼酸盐基材料中添加剂的含量为0~50wt%；

对块体形式的三聚氰胺硼酸盐基材料进行切割成片，获得轻而薄的三聚氰胺硼酸盐基片材；

于0.01 MPa~10 MPa的压力下对所述三聚氰胺硼酸盐基片材进行压缩，进行压力诱导组装，制得三聚氰胺硼酸盐基薄膜；

在保护性气氛下对所述三聚氰胺硼酸盐基薄膜进行高温热解处理，制得氮化硼气凝胶薄膜，所述高温热解处理的温度为600~1500℃，高温热解处理的时间为1~24h；

将所述氮化硼气凝胶薄膜浸渍于熔融态相变材料中1min~6h，获得氮化硼气凝胶相变薄膜，所述相变材料为有机固-液相变材料，所述有机固-液相变材料选自聚乙二醇、石蜡、硬脂酸、脂肪胺、脂肪醇中的任意一种或两种以上的组合；所述氮化硼气凝胶相变薄膜为电绝缘，所述氮化硼气凝胶相变薄膜的热导率为0.05~5.0 W/mK，所述氮化硼气凝胶相变薄膜的相变温度为10~150℃，所述氮化硼气凝胶相变薄膜的热焓值为10~200 J/g。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述三聚氰胺硼酸盐基片材的厚度为100 μm~3 mm。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述三聚氰胺硼酸盐基薄膜的厚度为50 μm~500 μm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述高温热解处理的温度为1000~1400℃，高温热解处理的时间为3~12h。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述保护性气氛选自氮气、氩气、氨气、氢气、空气气氛中的任意一种或两种以上的组合。

6.由权利要求1-5中任一项所述方法制备的氮化硼气凝胶相变薄膜，其特征在于包含：氮化硼气凝胶薄膜及相变材料，所述氮化硼气凝胶薄膜具有由氮化硼纳米带相互缠绕、搭接形成的三维多孔网络，所述相变材料填充嵌入于所述三维多孔网络之中，所述氮化硼气凝胶相变薄膜中氮化硼气凝胶薄膜的含量为1~90 wt%，相变材料的含量为10~99 wt%，所述氮化硼气凝胶相变薄膜具有热能可逆吸收与释放的功能。

7.根据权利要求6所述的氮化硼气凝胶相变薄膜，其特征在于：所述氮化硼气凝胶相变薄膜的形状选自矩形、三角形、圆形、星形或不规则形状。

8.根据权利要求6所述的氮化硼气凝胶相变薄膜，其特征在于：所述氮化硼气凝胶相变薄膜的厚度为10μm~3 mm。

9.根据权利要求8所述的氮化硼气凝胶相变薄膜，其特征在于：所述氮化硼气凝胶相变薄膜的厚度为50~500 μm。

10.权利要求6-9中任一项所述的氮化硼气凝胶相变薄膜于隔热或便携式电子器件中的应用。

11.根据权利要求10所述的应用，其特征在于，所述应用包括：将所述氮化硼气凝胶薄膜或氮化硼气凝胶相变薄膜嵌入到电子器件中，实现热量的管理。