[发明专利]一种飞秒激光结合HF湿蚀刻加工TGV的工艺在审
| 申请号： | 202010693932.4 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN111799169A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;陈政勋;李景贤 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/48;B23K26/352 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 激光 结合 hf 蚀刻 加工 tgv 工艺 | ||
1.一种飞秒激光结合HF湿蚀刻加工TGV的工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将晶圆正面键合玻璃载板，然后翻转至玻璃面，采用飞秒激光扫描过玻璃载板的孔洞周边区域，解构改质该区域的玻璃键结，运用HF蚀刻该区域形成环形蚀刻孔洞；
S2、翻转至晶圆面，对晶圆背面进行减薄和元件工程；
S3、再次翻转至玻璃面，运用HF蚀刻进行第二次的图案蚀刻加工，一直到穿孔完成；
S4、通过镭射对中间孤岛玻璃区域进行解键合，然后将晶圆与玻璃载板放入纯水中，通过水流将中间孤岛玻璃剥离，完成整体TGV贯穿；
S5、用O2Plasma电浆蚀刻黏着层，使穿孔停在晶圆表面，至此TGV完全连通晶圆的正面，接续制作化镀和电镀金属制程。
2.根据权利要求1所述的飞秒激光结合HF湿蚀刻加工TGV的工艺，其特征在于，所述步骤(1)中蚀刻孔洞的深度为玻璃载板厚度的50-90％。
3.根据权利要求1所述的飞秒激光结合HF湿蚀刻加工TGV的工艺，其特征在于，所述飞秒激光中心波长为750-850nm，脉宽为50×10-15-500×10-15s，重复频率为1-103kHz调谐。
4.根据权利要求1所述的飞秒激光结合HF湿蚀刻加工TGV的工艺，其特征在于，所述步骤(1)中晶圆正面键合玻璃载板为暂时键合或永久键合。
5.根据权利要求4所述的飞秒激光结合HF湿蚀刻加工TGV的工艺，其特征在于，所述步骤(1)中晶圆正面键合玻璃载板为暂时键合，所述步骤(5)中金属制程完成后，翻转使玻璃载载板朝上，将超薄晶圆附着在UV膜框上，用镭射扫描解构释放层，然后移除玻璃载载板，用有机溶剂去除黏着层，清洗完成后，晶圆进行切割、封装制程。
6.根据权利要求1所述的飞秒激光结合HF湿蚀刻加工TGV的工艺，其特征在于，所述步骤(5)中金属制程为晶圆面单面进行或晶圆面和玻璃面双面同时进行。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于绍兴同芯成集成电路有限公司，未经绍兴同芯成集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010693932.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
