[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置，所述薄膜晶体管阵列基板包括两种不同的半导体材料形成的第一半导体层和第二半导体层，与第一半导体层重叠设置的第一栅极电极和导电性层，与第二半导体层重叠设置的第二栅极电极和第三栅极电极，以及设置在第二半导体层与第二栅极电极之间的中间绝缘层。通过对薄膜晶体管阵列基板的膜层结构和成型工艺进行优化，使得制程时间缩短，节约了制造成本，并降低了膜层厚度，提高阵列基板的柔性弯折性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及显示装置，具体涉及一种显示装置的薄膜晶体管阵列基板。

背景技术

随着显示技术的发展和用户对显示设备的外观、性能等各方面的要求越来越高，有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light emitting diode，AMOLED)柔性显示器的应用越来越广泛，而随着显示器性能提升的同时，显示装置能否保持低消耗功率的特性愈发成为关注重点。

低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管以其高分辨率、高亮度、高开口率等优点广受市场欢迎，但低温多晶硅(LTPS)工艺中有源层多晶硅迁移率过大，导致漏电流较高，在低频驱动下功耗较大，为了更好的展开灰阶，必须将驱动薄膜晶体管中沟道长度做的很大，这样就难以实现高PPI(Pixels Per Inch)，同时以低温多晶硅作为有源层还存在迟滞较高，容易导致画面残像的问题。金属氧化物作为新的半导体有源层材料应运而生，其优点是载流子迁移率较高、成本较低、能耗低发热少，但其缺点是TFT阈值电压稳定性欠佳，氧化物有源层材料对外界比较敏感。

现有技术中已有在同一基板上布置不同材料的半导体层制成薄膜晶体管阵列基板和显示装置，以使制得的显示装置能够兼具两种薄膜晶体管各自的优点，例如两种半导体层分别为多晶硅材料和金属氧化物材料，如此制得的显示装置能够具备高亮度、高分辨率的同时降低驱动功耗。但是工艺制程复杂，特别是低温多晶硅元件的制作工艺温度约在600℃，与金属氧化物半导体工艺难以结合，制造成本居高不下，同时，由于同时存在两种不同的有源层，导致阵列基板的厚度较大，难以满足目前轻薄化、可柔性弯折的发展趋势。

因此，现有技术存在缺陷，亟需解决。

发明内容

本发明目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置，以优化生产工艺、降低制造成本，并具有较优的阵列基板厚度。

为实现上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

第一半导体层；

覆盖所述第一半导体层的第一栅极绝缘层；

设置在所述第一栅极绝缘层上并与所述第一半导体层重叠的第一栅极电极；

覆盖所述第一栅极电极的第二栅极绝缘层；

设置在所述第二栅极绝缘层上并同层布置的导电层和第二栅极电极；

中间绝缘层，覆盖所述导电层和所述第二栅极电极；

设置在所述中间绝缘层上的第二半导体层，所述第二半导体层与所述第二栅极电极重叠；

覆盖所述第二半导体层的第三栅极绝缘层，

设置在所述第三栅极绝缘层上并与所述第二半导体层重叠的第三栅极电极；

其中，所述第一半导体层与所述第二半导体层为不同材料的半导体层，所述中间绝缘层包括氧化物绝缘层。

特别地，所述第一半导体层包括多晶硅半导体材料，所述第二半导体层包括氧化物半导体材料。

特别地，所述中间绝缘层为单一的氧化物绝缘层，所述中间绝缘层的厚度为1500-4500A。

特别地，所述第二栅极绝缘层中氢含量大于或等于20％。