[发明专利]泡沫镍负载缺陷型四氧化三钴纳米材料、耐低温超级电容器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010693487.1 申请日: 2020-07-17
公开(公告)号: CN112053856A 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 焦杨;熊姗姗;王灵丹;陈叶雯;屠莲红;徐艳超;陈建荣 申请(专利权)人: 浙江师范大学
主分类号: H01G11/46 分类号: H01G11/46;H01G11/30;H01G11/86;C01G51/04;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 金铭
地址: 321004 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 泡沫 负载 缺陷 氧化 纳米 材料 低温 超级 电容器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种泡沫镍负载缺陷型四氧化三钴纳米材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

将醋酸钴溶于乙二醇溶液中,搅拌均匀得到粉色的透明溶液;

将十六烷基三甲基溴化氨加入到所述粉色的透明溶液中,搅拌至溶解,得到混合溶液;

将所述混合溶液放入内衬为聚四氟乙烯的反应釜内,并向所述反应釜内加入预处理的泡沫镍进行反应,反应后的泡沫镍表面生长了紫粉色物质,对其反复清洗后进行干燥处理;

对干燥处理后的泡沫镍复合材料进行热处理。

2.根据权利要求1所述的泡沫镍负载缺陷型四氧化三钴纳米材料的制备方法,其特征在于,所述泡沫镍的预处理步骤包括:

将泡沫镍剪成片,依次在盐酸、乙醇、水溶液中进行超声清洗,然后再进行干燥处理。

3.根据权利要求2所述的泡沫镍负载缺陷型四氧化三钴纳米材料的制备方法,其特征在于,所述泡沫镍的预处理步骤中干燥处理的温度为60-80℃。

4.根据权利要求3所述的泡沫镍负载缺陷型四氧化三钴纳米材料的制备方法,其特征在于,所述超声清洗的时间为10-15分钟。

5.根据权利要求1所述的泡沫镍负载缺陷型四氧化三钴纳米材料的制备方法,其特征在于,

所述热处理的工艺条件为:温度为500-700℃,升温速率控制在2-5min-1,处理时间为2-5小时。

6.根据权利要求1所述的泡沫镍负载缺陷型四氧化三钴纳米材料的制备方法,其特征在于,在所述反应釜内反应的温度为200-300℃,反应时间为8-10小时。

7.权利要求1-6任一项所述的制备方法制备得到的泡沫镍负载缺陷型四氧化三钴纳米材料。

8.一种耐低温超级电容器,其特征在于,包括如权利要求7所述的泡沫镍负载缺陷型四氧化三钴纳米材料。

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