[发明专利]蚀刻方法、半导体制造装置、及半导体装置的制造方法

说明书

本发明涉及一种蚀刻方法、半导体制造装置、及半导体装置的制造方法。实施方式的蚀刻方法具备交替地切换第1步骤与第2步骤的工序，所述第1步骤中，不供给高频电压地导入包含氟原子的第1气体，从而在以第1气体的液化温度以下的第1温度冷却的加工对象物的表面形成表面层，所述第2步骤中，导入不同于第1气体的在第1温度下为气体状态的第2气体，并供给高频电压，从第2气体产生等离子体并利用等离子体进行溅镀来蚀刻加工对象物。

相关申请案的引用

本申请案基于且主张2019年07月18日申请的先行的日本专利申请案第2019-132868号、及2020年03月12日申请的先行的日本专利申请案第2020-042953号的优先权的利益，所述申请案的所有内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种蚀刻方法、半导体制造装置、及半导体装置的制造方法。

背景技术

在三维存储器等半导体装置的制造方法中，已知有通过使用包含氢氟碳化合物的蚀刻气体的蚀刻来在加工对象物形成开口的技术。

发明内容

一实施方式提供一种具有更高的蚀刻速率的蚀刻方法。

实施方式的蚀刻方法具备交替地切换第1步骤与第2步骤的工序，所述第1步骤中，不供给高频电压地导入包含氟原子的第1气体，从而在以第1气体的液化温度以下的第1温度冷却的加工对象物的表面形成表面层，所述第2步骤中，导入不同于第1气体的在第1温度下为气体状态的第2气体，并供给高频电压，从第2气体产生等离子体并利用等离子体通过溅镀来蚀刻加工对象物。

根据所述构成，能够提供具有更高的蚀刻速率的蚀刻方法。

附图说明

图1是用来说明半导体装置的制造方法例的流程图。

图2是表示加工对象物的结构例的截面示意图。

图3是表示半导体制造装置的构成例的示意图。

图4是用来说明蚀刻方法例的时序图。

图5是用来说明第1步骤的截面示意图。

图6是用来说明由供给至加工对象物的气体的状态的差异所致的表面层的形状的差异的截面示意图。

图7是用来说明由供给至加工对象物的气体的状态的差异所致的表面层的形状的差异的截面示意图。

图8是用来说明第2步骤的截面示意图。

图9是用来说明存储器层形成工序的截面示意图。

图10是用来说明半导体装置的制造方法的另一例的流程图。

图11是表示半导体制造装置的另一构成例的示意图。

图12是用来说明蚀刻方法的另一例的时序图。

图13是用来说明照射工序的截面示意图。

图14是用来说明照射工序的截面示意图。

图15是用来说明半导体装置的制造方法的另一例的流程图。

图16是表示半导体制造装置的另一构成例的示意图。

图17是用来说明保护工序的示例的时序图。

图18是用来说明第4步骤的截面示意图。

图19是用来说明第5步骤的截面示意图。

图20是用来说明半导体装置的制造方法的另一例的流程图。

图21是用来说明蚀刻方法的另一例的时序图。