[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，包括用于形成目标图形的目标层；

在所述目标层上形成平坦层，所述平坦层中形成有贯穿所述平坦层且沿第一方向延伸、沿第二方向间隔排布的第一开口，所述第二方向垂直于所述第一方向；

在所述第一开口的侧壁形成第一侧墙；

在所述第一侧墙的侧壁上形成填充第一开口的牺牲层，沿第二方向相邻牺牲层相对的侧壁分别为第一侧壁和第二侧壁；

去除所述第一侧墙，形成暴露出所述牺牲层侧壁的间隙；

形成贯穿沿第二方向相邻牺牲层之间的部分平坦层的第二开口；所述第二开口与第一侧壁形成沟槽，且第二开口与第二侧壁上的间隙之间具有间隔；

形成位于所述沟槽的侧壁且填充于间隙的第二侧墙，位于所述沟槽侧壁的第二侧墙围成第一凹槽；

形成第二凹槽，贯穿第一凹槽与位于第二侧壁的第二侧墙之间的平坦层；

去除所述牺牲层，形成第三凹槽；所述第三凹槽、第二凹槽和第一凹槽之间由第二侧墙相隔离；

以所述第二侧墙和平坦层为掩膜，图形化所述第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽下方的目标层，形成目标图形。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述平坦层和所述第一开口的步骤包括：在所述目标层上形成平坦材料层；图形化所述平坦材料层，形成多个贯穿所述平坦层材料层的第一开口，剩余的平坦材料层用于作为所述平坦层。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述平坦层和所述第一开口的步骤包括：在所述目标层上形成多个分立的占位层；在所述目标层上形成覆盖所述占位层侧壁的所述平坦层；去除所述占位层，形成所述第一开口。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述平坦材料层的工艺包括各向异性的干法刻蚀工艺。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一侧墙的工艺包括原子层沉积工艺。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲层的步骤包括：在所述第一开口中填充牺牲材料层，所述牺牲材料层还覆盖于所述平坦层上；

去除高于所述平坦层顶部的牺牲材料层，形成填充于第一开口中的牺牲层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲材料层的工艺包括旋涂工艺、原子层沉积工艺和化学气相沉积工艺中的一种或多种。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除高于所述平坦层顶部的牺牲材料层的工艺包括干法刻蚀工艺或化学机械研磨工艺。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲层的步骤中，所述牺牲层的材料包括氧化硅、金属氧化物、多晶硅和无定形硅中的一种或多种。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一侧墙的工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀中的一种或两种工艺。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第二开口之后，去除所述第一侧墙；或者，在去除所述第一侧墙之后，形成所述第二开口。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二侧墙的工艺包括原子层沉积工艺。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝、氮化钛和氧化钛中的一种或多种。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙的材料与第一侧墙的材料相同。