[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 202010691419.1 | 申请日: | 2020-07-17 |
| 公开(公告)号: | CN112310151A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
| 发明(设计)人: | 金明花;朴晙皙;具素英;金兑相;文然建;朴根彻;林俊亨;全景辰 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3233 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;刘灿强 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
像素,连接到扫描线和与所述扫描线交叉的数据线,
其中,所述像素包括发光元件、驱动晶体管和第一开关晶体管,所述驱动晶体管被构造为根据从所述数据线施加的数据电压来控制供应到所述发光元件的驱动电流,所述第一开关晶体管被构造为根据施加到所述扫描线的扫描信号来将所述数据线的所述数据电压施加到所述驱动晶体管,
所述驱动晶体管包括第一有源层和第一氧化物层,所述第一有源层包括氧化物半导体,所述第一氧化物层位于所述第一有源层上并且包括氧化物半导体,并且
所述第一开关晶体管包括包含氧化物半导体的第二有源层,
其中,所述第一氧化物层未设置在所述第二有源层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一有源层的所述氧化物半导体和所述第二有源层的所述氧化物半导体均独立地包括从铟、镓、锌、锡和铪中选择的至少一种。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一氧化物层的所述氧化物半导体包括从铟、镓、锌、锡和铪中选择的至少一种。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一有源层的氢含量比所述第二有源层的氢含量低,并且
所述第一有源层的氧含量比所述第二有源层的氧含量高。
5.根据权利要求1至权利要求4中的任意一项权利要求所述的显示装置,其中,所述驱动晶体管包括:
第一栅极绝缘层,位于所述第一有源层上,以及
第一栅电极,位于所述第一栅极绝缘层上并且与所述第一有源层叠置,并且
所述第一氧化物层位于所述第一栅电极与所述第一栅极绝缘层之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一氧化物层的在一个方向上测量的宽度等于所述第一栅电极的在所述一个方向上测量的宽度。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一氧化物层的在一个方向上测量的宽度比所述第一栅电极的在所述一个方向上测量的宽度小,并且所述第一氧化物层的两个侧表面与所述第一栅电极接触。
8.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一有源层包括第一导电区、第二导电区以及位于所述第一导电区与所述第二导电区之间的沟道区,并且
所述第一氧化物层与所述第一有源层的所述沟道区叠置。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述驱动晶体管包括:第一源电极,通过穿过所述第一有源层上的层间绝缘层的第一接触孔与所述第一导电区接触,以及
第一漏电极,通过穿过所述层间绝缘层的第二接触孔与所述第二导电区接触。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述驱动晶体管还包括位于所述第一有源层下方的第一光阻挡层,并且
所述第一源电极与所述第一光阻挡层接触。
11.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一栅极绝缘层位于所述第二有源层上,并且
所述第一开关晶体管包括位于所述第一栅极绝缘层上并且与所述第二有源层叠置的第二栅电极。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一栅电极的下表面的至少部分区域与所述第一氧化物层接触,并且
所述第二栅电极的下表面不与所述第一氧化物层接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





