[发明专利]半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法

权利要求书

1.半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，微粉喷砂，去除表面的残留物或沉积物；

步骤一中，使用气体保护治具进行喷砂，对石英部件进行WA400#微粉喷砂，所采用的输送气压力为0.5-1Kg.cm²，喷砂时间3～5分钟；

步骤二，物理抛光研磨，使得石英部件表面粗糙度低于1.0um；

步骤二中，使用旋转平台和采用一定筛分的碳化硅磨料对特定区域进行打磨，通过多种筛分的碳化硅磨料的多次打磨，先粗后细，转台转速30-75rmp；

步骤三，火焰抛光，使得石英部件表面粗糙度低于0.5um；

步骤三中，使用氧气-氢气火焰进行抛光，获得粗糙度低于0.5um的镜面效果；

步骤四，高温退火；将产品放入高温炉，进行1000-1150℃高温退火；

步骤五，化学清洗；

首先、使用氨水双氧水溶液,溶液温度20-40℃，浸泡10min；

然后、使用硝氟酸溶液浸泡5-20min；

最后、使用硝氟酸溶液浸泡5-20min；

步骤六，超声波清洗；

步骤七，冲洗、干燥；

通过ICP-MS检测，产品达到硅片级别的洁净度，金属离子水平在1-300E10Atoms/cm²。

2.根据权利要求1所述的半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法，其特征在于：步骤五中，氨水双氧水溶液的配比为NH₄OH:H₂O₂:H₂O＝0.5-1:0.5-2:2-4；

硝氟酸溶液的配比为HF:HNO₃:H2O＝1:5-10:44-60。

3.根据权利要求1所述的半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法，其特征在于：步骤五中，氨水双氧水溶液中原液浓度：氨水28-30％、双氧水28-30％；

硝氟酸溶液中原液浓度：硝酸69-70％、氢氟酸49-50％。

4.根据权利要求1所述的半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法，其特征在于：步骤六中，将石英部件进行超声波清洗，超声波槽中超纯水温度20-38℃，超声波频率为40～80KHz，超声波清洗时间为10～30min，而后超纯水冲洗并用0.1微米的过滤氮气吹干。

5.根据权利要求1所述的半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法，其特征在于：步骤六以及步骤七中，均采用超纯水，超纯水为电阻率大于18MΩ的去离子水。