[发明专利]一种新型量子点发光二极管器件及其制备方法

说明书

本发明涉及一种新型量子点发光二极管器件及其制备方法，所述制备方法包括：准备衬底，所述衬底作为阳极电极层；在所述衬底上旋涂空穴注入层；在所述空穴注入层上旋涂TFB/Au NPS/TFB叠层结构；在所述TFB/Au NPS/TFB叠层结构上旋涂量子点发光层；在所述量子点发光层上旋涂电子传输层；在所述电子传输层上制作阴极电极。本发明引入新型叠层结构TFB/Au NPs/TFB，利用Au NPs和量子点的等离子体相互作用，加快了QDs的辐射复合速率，增强了量子点的荧光发射，提升了器件的外量子效率。

技术领域

本发明涉及量子点发光二极管领域，特别是涉及一种新型量子点发光二极管器件及其制备方法。

背景技术

胶体量子点因其宽吸收、窄发射、色纯度及量子效率高等诸多优势，受到了广泛的关注与研究。目前量子点在结构层面的研究已经取得了长足的进步，然而阻碍其在器件中应用的因素仍然较多。其中，器件中的电子-空穴注入不平衡，导致了过量电子在发光层累积，增加了激子非辐射复合的比重，进而造成了量子点层的荧光衰减；此外，器件中存在的界面缺陷，使电极注入产生的激子在复合时受界面缺陷态影响，导致了量子点非辐射复合的荧光猝灭，进而引起了量子点层的荧光衰减。综上所述，这些问题引起的荧光衰减是影响QLED(量子点发光二极管，Quantum Dot Light Emitting Diodes)器件性能的主要因素。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的是提供一种新型量子点发光二极管器件及其制备方法，能够增强量子点的荧光发射，提升了器件的外量子效率。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

一种新型量子点发光二极管器件的制备方法，包括：

准备衬底，所述衬底作为阳极电极层；

在所述衬底上旋涂空穴注入层；

在所述空穴注入层上旋涂TFB/Au NPS(金纳米颗粒，Au nanoparticles)/TFB叠层结构；

在所述TFB/AuNPS/TFB叠层结构上旋涂量子点发光层；

在所述量子点发光层上旋涂电子传输层；

在所述电子传输层上制作阴极电极。

优选地，所述在所述衬底上旋涂空穴注入层，具体包括：

在所述衬底上悬滴PEDOT:PSS溶液，并旋涂至溶液成膜，形成所述空穴注入层。

优选地，在所述形成所述空穴注入层之后，还包括：

将所述空穴注入层与所述衬底形成的基片边缘的电极裸露，形成第一辅助电极。

优选地，所述在所述空穴注入层上旋涂TFB/AuNPS/TFB叠层结构，具体包括：

在所述空穴注入层上悬滴TFB溶液，并旋涂至溶液成膜，形成空穴传输层；

在所述空穴传输层上旋涂AuNPS，形成金属纳米粒子层；

在所述金属纳米粒子层上再次悬滴TFB溶液，并旋涂至溶液成膜，形成间隔层；

所述空穴传输层、所述金属纳米粒子层、所述间隔层形成所述TFB/Au NPS/TFB叠层结构。

优选地，所述旋涂AuNPS，形成金属纳米粒子层的转速为2000rpm。

优选地，所述形成间隔层的转速为3000rpm。

优选地，所述在所述量子点发光层上旋涂电子传输层，具体为：

在所述量子点发光层上滴加ZnO NPs(氧化锌纳米颗粒，ZnO nanoparticles)溶液，形成所述电子传输层。