[发明专利]制造光掩模组的方法和制造半导体器件的方法

说明书

一种制造光掩模组的方法包括：准备掩模布局，所述掩模布局包括在第一区域中彼此间隔开的多个第一布局图案，其中，所述多个第一布局图案中的彼此相邻的三个第一布局图案的中心点之间的距离分别具有不同的值；将成对的第一布局图案进行分组，其中，在所述成对的第一布局图案中彼此相邻的两个第一布局图案的中心点之间的距离不具有所述不同的值中的最小值，并将所述掩模布局划分为至少两个掩模布局图案；以及形成包括至少两个光掩模的光掩模组，每个所述光掩模包括与被划分为所述至少两个掩模布局的所述掩模布局中的对应掩模布局中所包括的所述第一布局图案对应的掩模图案。

相关申请的交叉引用

通过引用将于2019年10月28日在韩国知识产权局提交的、名称为“Method ofManufacturing Photomask Set for Forming Patterns,and Method of ManufacturingSemiconductor Device Using the Photomask Set”(制造用于形成图案的光掩模组的方法和使用光掩模组制造半导体器件的方法)的韩国专利申请No.10-2019-0134791的全部内容并入本文。

技术领域

本公开涉及制造用于形成图案的光掩模组的方法和通过使用光掩模组制造半导体器件的方法。

背景技术

随着电子工业和用户需求的快速发展，电子装置正变得越来越紧凑和轻量化。因此，在电子装置中使用的半导体器件需要高度集成，并且用于半导体器件的配置的设计规则正在减少。因此，形成半导体器件的图案的工艺中的难度正在增加。

发明内容

根据本公开的一方面，提供了一种制造光掩模组的方法，所述方法包括：准备掩模布局，所述掩模布局包括在第一区域中彼此间隔开的多个第一布局图案，其中，所述多个第一布局图案中的彼此相邻的三个第一布局图案的中心点之间的距离分别具有不同的值；将成对的第一布局图案进行分组，在所述成对的第一布局图案中彼此相邻的两个第一布局图案的中心点之间的距离不具有所述不同的值中的最小值，并将所述掩模布局划分为至少两个掩模布局图案；以及形成包括至少两个光掩模的光掩模组，每个所述光掩模包括与被划分为所述至少两个掩模布局图案的所述掩模布局中的对应掩模布局中所包括的所述第一布局图案对应的掩模图案。

根据本公开的另一方面，提供了一种通过使用光掩模组制造半导体器件的方法，所述方法包括：在基板上形成具有在第一水平方向上彼此平行延伸的位线的多个位线结构；在所述基板上形成填充所述多个位线结构之间的空间的下部的多个掩埋接触；以及通过使用包括第一光掩模和第二光掩模的光掩模组形成多个着陆焊盘，所述多个着陆焊盘填充所述多个位线结构之间的空间的上部并延伸到所述多个位线结构上，并包括彼此相邻的第一着陆焊盘、第二着陆焊盘和第三着陆焊盘，其中，连接所述第一着陆焊盘的顶表面的中心点、所述第二着陆焊盘的顶表面的中心点和所述第三着陆焊盘的顶表面的中心点的三角形包括不等边三角形，并且形成所述多个着陆焊盘包括：形成填充所述多个位线结构之间的所述空间的所述上部并覆盖所述多个位线结构的着陆焊盘材料层，通过使用所述第一光掩模在所述着陆焊盘材料层上形成多个第一硬掩模图案，通过使用所述第二光掩模在所述着陆焊盘材料层上在所述多个第一硬掩模图案之间的空间中形成多个第二硬掩模图案，以及通过使用所述多个第一硬掩模图案和所述多个第二硬掩模图案作为蚀刻掩模将所述着陆焊盘材料层图案化。