[发明专利]一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置在审

专利信息
申请号: 202010685703.8 申请日: 2020-07-16
公开(公告)号: CN111883482A 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 朱亚威;曹鑫;金兴植;王子峰;樊浩原 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 金俊姬
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 显示 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:

在衬底基板上依次形成第一类有源层、第一绝缘结构、第二类有源层、第二绝缘层和源漏金属层;其中,

在形成所述源漏金属层之前,通过一次构图工艺形成贯穿所述第二绝缘层的第一类过孔,以及同时贯穿所述第一绝缘结构和所述第二绝缘层的第二类过孔;其中,所述第一类过孔用于搭接所述源漏金属层与所述第二类有源层,所述第二类过孔用于搭接所述源漏金属层与所述第一类有源层。

2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述通过一次构图工艺形成贯穿所述第二绝缘层的第一类过孔,以及同时贯穿所述第一绝缘结构和所述第二绝缘层的第二类过孔,具体包括:

在所述第二绝缘层上形成光刻胶层;

对所述光刻胶层进行曝光显影,形成光刻胶层第一完全去除区域、光刻胶层部分保留区域和光刻胶层完全保留区域;所述光刻胶层第一完全去除区域与所述第二类过孔相对应,所述光刻胶层部分保留区域与所述第一类过孔相对应;

去除所述光刻胶层第一完全去除区域对应的所述第二绝缘层和部分所述第一绝缘结构;

减薄所述光刻胶层,其中将所述光刻胶层部分保留区域的光刻胶层完全去除,在所述光刻胶层完全保留区域保留部分光刻胶层;

去除所述光刻胶层第一完全去除区域对应的剩余所述第一绝缘结构和所述光刻胶部分保留区域对应的所述第二绝缘层;

剥离剩余的光刻胶层。

3.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述显示基板包括弯折区域,所述弯折区域对应光刻胶层第二完全去除区域;

在所述去除所述光刻胶层第一完全去除区域对应的所述第二绝缘层和部分所述第一绝缘结构的同时,去除所述弯折区域对应的所述第二绝缘层和部分所述第一绝缘结构。

4.如权利要求3所述的制作方法,其特征在于,在所述去除所述光刻胶层第一完全去除区域对应的剩余所述第一绝缘结构和所述光刻胶部分保留区域对应的所述第二绝缘层的同时,去除所述弯折区域对应的剩余所述第一绝缘结构。

5.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述减薄所述光刻胶层,包括:

通过灰化工艺减薄所述光刻胶层。

6.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第一绝缘结构包括位于所述第一类有源层和所述第二类有源层之间依次层叠设置的第一栅绝缘层、第一层间介质层和第一缓冲层,所述第二绝缘层为位于所述第二类有源层背离所述衬底基板一侧的第二层间介质层。

7.如权利要求6所述的制作方法,其特征在于,在形成所述第一栅绝缘层之后,且在形成所述第一层间介质层之前,还包括:形成第一栅极;

在形成所述第二类有源层之后,且在形成所述第二层间介质层之前,还包括:形成第二栅绝缘层和第二栅极;所述第二栅绝缘层的图形和所述第二栅极的图形相同。

8.如权利要求1-7任一项所述的制作方法,其特征在于,所述第一类有源层为多晶硅有源层,所述第二类有源层为氧化物有源层;

在所述衬底基板上形成所述第一类有源层之前,还包括:在所述衬底基板上形成第二缓冲层。

9.一种显示基板,其特征在于,采用如权利要求1-8任一项所述的制作方法形成。

10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的显示基板。

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