[发明专利]超级结器件的制作方法在审
| 申请号： | 202010685513.6 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111883422A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 赵龙杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超级 器件 制作方法 | ||
1.一种超级结器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在第一类型外延层中形成沟槽；
向所述沟槽下方的第一类型外延层注入氮离子；
利用第二类型外延层填充所述沟槽，第一类型与第二类型相反。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一类型外延层中形成沟槽，包括：
在所述第一类型外延层的表面形成掩膜层；
在所述掩膜层内形成沟槽开口图案；
根据所述沟槽开口图案刻蚀所述第一类型外延层，形成所述沟槽。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述沟槽下方的第一类型外延层注入氮离子，包括：
以所述第一类型外延层表面剩余的掩膜层为掩膜，向所述沟槽下方的第一类型外延层注入氮离子。
4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述向所述沟槽下方的第一类型外延层注入氮离子，包括：
当时所述沟槽侧壁的倾斜角度小于90°时，控制氮离子垂直注入或倾斜注入所述沟槽下方的第一类型外延层中；
或，
当所述沟槽侧壁的倾斜角度为90°时，控制氮离子倾斜注入所述沟槽下方的第一类型外延层中。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述向所述沟槽下方的第一类型外延层注入氮离子之后，还包括：
去除所述第一类型外延层表面剩余的掩膜层。
6.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述氮离子注入后体浓度为1E16 cm-3至5E20cm-3。
7.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述第一类型外延层为N型外延层，所述第二类型外延层为P型外延层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
形成超级结器件的栅极结构，所述栅极结构包括栅氧化层和多晶硅栅；
在所述栅极结构外侧形成阱区；
在所述阱区的顶部形成源区。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一类型外延层位于硅衬底的上方。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
