[发明专利]集成电路器件

说明书

一种集成电路器件包括：存储结构，包括存储堆叠部、存储单元互连部以及围绕存储堆叠部和存储单元互连部的存储单元绝缘部；外围电路结构，包括外围电路板、形成在外围电路板上的外围电路区域和在外围电路区域与存储结构之间的外围电路互连部；多个导电接合结构，在第一区域中在存储单元互连部与外围电路互连部之间的边界上，该第一区域在垂直方向上与存储堆叠部重叠；以及贯通电极，在第二区域中穿透存储单元绝缘部和外围电路板中的一个并延伸到外围电路互连部中包括的下导电图案，该第二区域在垂直方向上与存储单元绝缘部重叠。

技术领域

本发明构思涉及集成电路器件，更具体地，涉及包括具有外围上单元(COP)结构的非易失性存储器件的集成电路器件。

背景技术

随着信息通信装置的多功能化，包括存储器件的集成电路器件已经变成大容量存储并被高度集成，因此存储单元的尺寸已经逐渐减小，并且包括在存储器件中的用于存储器件的操作和电连接的操作电路和互连结构正变得更加复杂。因此，对包括这样的存储器件的集成电路器件存在需求，该存储器件具有在提高集成度的同时具有优良电特性的结构。

发明内容

本发明构思提供一种集成电路器件，该集成电路器件具有能够在提高的集成和减小的芯片尺寸的情况下提高互连结构的可靠性的结构。

根据本发明构思的一些方面，提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：存储结构，包括存储堆叠部(memory stack unit)、存储单元互连部(memory cellinterconnection unit)、以及围绕存储堆叠部和存储单元互连部的存储单元绝缘部(memory cell insulation unit)，该存储单元互连部包括配置为可电连接到存储堆叠部的多个上导电图案；外围电路结构，包括外围电路板、在外围电路板上的外围电路区域以及外围电路互连部，该外围电路互连部包括在外围电路区域和存储结构之间的多个下导电图案并接合到存储单元互连部；多个导电接合结构，在第一区域中在存储单元互连部和外围电路互连部之间的边界上，该第一区域在垂直方向上与存储堆叠部重叠，所述多个导电接合结构是将从所述多个第一上导电图案当中选择的多个第一上导电图案和从所述多个下导电图案当中选择的相应多个第一下导电图案接合的产物；以及贯通电极，在第二区域中穿透存储单元绝缘部和外围电路板中的一个并在垂直方向上延伸到从所述多个下导电图案当中选择的第二下导电图案，该第二区域在垂直方向上与存储单元绝缘部重叠。

根据本发明构思的一方面，提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：存储结构，包括存储堆叠部、存储单元互连部以及围绕存储堆叠部和存储单元互连部的存储单元绝缘部，该存储堆叠部包括在第一水平方向上延伸的多条位线，该存储单元互连部包括配置为可电连接到所述多条位线的多个上导电图案；外围电路结构，包括外围电路板、在外围电路板上的外围电路区域以及外围电路互连部，该外围电路互连部包括在外围电路区域和存储结构之间的多个下导电图案并接合到存储单元互连部；导电接合结构，在第一区域中在存储单元互连部和外围电路互连部之间的边界上，该第一区域在垂直方向上与存储堆叠部重叠，该导电接合结构是将从所述多个上导电图案当中选择的第一上导电图案和从所述多个下导电图案当中选择的第一下导电图案接合的产物；以及多个贯通电极，在第二区域中在垂直方向上延伸穿过存储单元绝缘部和外围电路板中的一个，该第二区域在水平方向上与第一区域间隔开，其中所述多个贯通电极包括在第二区域中沿着第一水平方向布置成行的多个第一贯通电极。