[发明专利]控制瞄准光源的扫描系统及方法有效

专利信息
申请号: 202010684228.2 申请日: 2020-07-16
公开(公告)号: CN111988542B 公开(公告)日: 2023-08-25
发明(设计)人: 王冬生;魏江涛;韩子骞;张颂来;陈辰;何君星 申请(专利权)人: 深圳盈达信息科技有限公司
主分类号: H04N25/531 分类号: H04N25/531;H04N25/533;H04N23/73;H04N25/40
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市宝安区西乡街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 控制 瞄准 光源 扫描 系统 方法
【说明书】:

本申请提供一种控制瞄准光源的扫描系统及方法,其特征在于,包括图像传感器,通过卷帘快门顺序曝光像素阵列以采集目标图像,所述像素阵列包括有效像素和非成像像素,所述有效像素为实际用于图像解码的像素,所述非成像像素为实际不用于图像解码的像素;瞄准光源,用以投射瞄准图案瞄准目标;控制单元,用以控制所述图像传感器和所述瞄准光源,使得在所述有效像素的曝光时间内所述瞄准光源处于关闭状态,而在所述非成像像素的至少部分曝光时间内所述瞄准光源处于开启状态。

技术领域

本申请涉及一种控制瞄准光源的扫描系统及方法。

背景技术:

现有的图像读取器分为全局曝光和卷帘曝光两种曝光方式,全局曝光通常指所有像素同时曝光,而卷帘曝光则是指像素阵列顺序曝光,全局曝光方式可避免果冻效应,对于高速运动的物体也能产生清晰的图像,卷帘曝光则由于像素曝光的时间差,对于运动的物体不能产生清晰的图像,会产生果冻效应。通常ccd(Charge Coupled Device电荷耦合器件)和部分cmos(Complementary Metal Oxide Semiconductor互补金属氧化物半导体)为全局曝光,部分cmos为卷帘曝光,卷帘曝光的cmos相对于全局曝光的ccd和cmos具有价格优势,其噪点更少,成像更清晰,因此应用也较为广泛。

在光学图像读取领域,通常需要瞄准光源投射瞄准图案来指示图像读取器的识读范围,由于瞄准图案的亮度高于周围环境的亮度,往往会造成图像局部过曝,影响读取效率。全局曝光的图像读取器,由于所有像素的曝光同步,可通过消隐技术,使瞄准光源的开启时间与所有像素的曝光时间错开,使得采集的图像中不会出现瞄准图案,避免局部过曝;卷帘曝光由于像素是顺序曝光,像素的曝光时间不同步,无法采用与全局曝光相同的消隐技术。

本申请针对以上问题,提供一种新的控制瞄准光源的扫描系统及方法,采用新的方法和技术手段以解决这些问题。

发明内容

针对背景技术所面临的问题,本申请创作的目的在于提供一种避免瞄准光源投射的瞄准图案造成图像过曝的控制瞄准光源的扫描系统及方法。

为实现上述目的,本申请采用以下技术手段:

本申请提供一种控制瞄准光源的扫描系统,其特征在于,包括:

图像传感器,通过卷帘快门顺序曝光像素阵列以采集目标图像,所述像素阵列包括有效像素和非成像像素,所述有效像素为实际用于图像解码的像素,所述非成像像素为实际不用于图像解码的像素;

瞄准光源,用以投射瞄准图案瞄准目标;

控制单元,用以控制所述图像传感器和所述瞄准光源,使得在所述有效像素的曝光时间内所述瞄准光源处于关闭状态,而在所述非成像像素的至少部分曝光时间内所述瞄准光源处于开启状态。

可选地,所述图像传感器以像素行为单位顺序曝光,定义一行中存在所述有效像素的像素行为有效像素行,所述瞄准光源在所述有效像素行的曝光时间内处于关闭状态。

可选地,定义整行均为所述非成像像素的像素行为非成像像素行,所述瞄准光源在所述非成像像素行的至少部分曝光时间内处于开启状态。

可选地,所述非成像像素行的曝光时间与所述有效像素行的曝光时间部分重合,所述瞄准光源在所述非成像像素行单独曝光的曝光时间内处于开启状态且在二者曝光时间重合时处于关闭状态。

可选地,所述有效像素为实际参与感光的像素,所述非成像像素为实际不参与感光的像素。

可选地,所述有效像素成的像用以提取字符以供解码,所述非成像像素成的像在图像预处理过程中被去掉。

可选地,所述瞄准图案包括一瞄准框,用于框选目标,所述瞄准框在所述像素阵列上成的像大致框选出所有所述有效像素。

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