[发明专利]用于显示设备的氢陷阱层及显示设备

权利要求书

1.一种混合薄膜晶体管结构，所述混合薄膜晶体管结构包括：

衬底；

所述衬底上方的氧化物缓冲层，所述氧化物缓冲层跨越硅晶体管区和氧化物晶体管区；

所述硅晶体管区中的所述氧化物缓冲层上方的硅沟道层；

所述硅晶体管区中的所述硅沟道层上方的栅极电介质层

所述硅晶体管区中的所述栅极电介质层上方的顶部栅极层；

所述氧化物晶体管区中的所述氧化物缓冲层上方的底部栅极层；

所述氧化物晶体管区中的所述底部栅极层上方的第二氧化物缓冲层，所述第二氧化物缓冲层跨越所述硅晶体管区和氧化物晶体管区；

所述氧化物晶体管区中的所述第二氧化物缓冲层上方的半导体氧化物层；

所述氧化物晶体管区中的所述半导体氧化物层上方的第二栅极电介质层；以及

所述氧化物晶体管区中的所述第二栅极电介质层上方的第二顶部栅极层。

2.根据权利要求1所述的混合薄膜晶体管结构，其中所述顶部栅极层包括多层叠层。

3.根据权利要求2所述的混合薄膜晶体管结构，其中所述多层叠层包括金属栅极层和栅极氢陷阱层，所述栅极氢陷阱层以氢的负溶解熵为特征。

4.根据权利要求3所述的混合薄膜晶体管结构，其中所述金属栅极层位于所述栅极氢陷阱层上方。

5.根据权利要求4所述的混合薄膜晶体管结构，其中所述栅极氢陷阱层包含氢俘获材料，所述氢俘获材料选自由以下项组成的组：Li、Sc、Y、La、Ce、Ti、Zr、Hf、V、Nb和Ta。

6.根据权利要求5所述的混合薄膜晶体管结构，其中所述氢陷阱层包含大于1E²¹/cm³的氢浓度。

7.根据权利要求3所述的混合薄膜晶体管结构，所述混合薄膜晶体管结构还包括层间电介质(ILD)层，所述ILD层位于所述顶部栅极层上方，并且跨越所述硅晶体管区和氧化物晶体管区，其中所述底部栅极层位于所述氧化物晶体管区中的所述ILD层上方。

8.根据权利要求3所述的混合薄膜晶体管结构，其中所述衬底包括含氢层。

9.根据权利要求8所述的混合薄膜晶体管结构，所述混合薄膜晶体管结构还包括位于所述第二顶部栅极层上方的含氢平面化层，所述含氢平面化层跨越所述硅晶体管区和氧化物晶体管区。

10.根据权利要求3所述的混合薄膜晶体管结构，所述混合薄膜晶体管结构还包括所述硅沟道层上的第一对源极/漏极触点和所述半导体氧化物层上的第二对源极/漏极触点，其中所述第一对源极/漏极触点和所述第二对源极/漏极触点均包括以氢的负溶解熵为特征的氢陷阱层。

11.根据权利要求10所述的混合薄膜晶体管结构，其中所述氢陷阱层由与所述栅极氢陷阱层相同的材料形成。

12.根据权利要求3所述的混合薄膜晶体管结构，其中所述底部栅极层具有宽于所述第二顶部栅极层的栅极宽度。

13.根据权利要求12所述的混合薄膜晶体管结构，其中所述半导体氧化物层包括n型源极/漏极区。

14.根据权利要求13所述的混合薄膜晶体管结构，其中：

所述半导体氧化物层中直接位于所述第二顶部栅极层的阴影下面的第一部分对应于氧化物晶体管沟道；

所述半导体氧化物层中直接位于所述底部栅极层的阴影上方并且不包括所述第一部分的第二部分是N-掺杂的；并且

所述半导体氧化物层中位于所述底部栅极层的所述阴影外部的第三部分是N+掺杂的。

15.根据权利要求14所述的显示面板，其中N-掺杂与N+掺杂界面以所述第三部分中的氢掺杂物浓度为特征。