[发明专利]超声换能器与电子设备有效
申请号: | 202010681456.4 | 申请日: | 2020-07-15 |
公开(公告)号: | CN111866680B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 纪登鑫;王红超;沈健 | 申请(专利权)人: | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
主分类号: | H04R17/00 | 分类号: | H04R17/00 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 518045 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超声 换能器 电子设备 | ||
1.一种超声换能器,其特征在于,包括:第一电极层、压电层、第二电极层以及电路层;
所述压电层设置在所述第一电极层上,所述压电层上设置有所述第二电极层以及所述电路层;
所述压电层包括多个压电单元,所述压电单元用于发射和接收声波信号;
每个所述压电单元包括在所述压电层的第一表面上形成的一个第一凹槽,每个所述第一凹槽具有一个凹面,每个所述凹面的朝向与所述超声换能器的声波发射方向相同,所述凹面与所述第一表面所在的平面之间的接触角大于0度且小于90度,且所述凹面为曲面。
2.如权利要求1所述的超声换能器,其特征在于,所述压电层的第一凹槽的凹面朝向所述电路层,所述第二电极层包括多个第一导电部,所述多个第一导电部分别设置在所述压电层的所述第一凹槽内。
3.如权利要求2所述的超声换能器,其特征在于,所述第一表面上形成阵列设置且呈半球状的所述第一凹槽,所述第二电极层包括阵列设置的半球状的所述第一导电部,各所述第一导电部分别设置在各所述第一凹槽内。
4.如权利要求2所述的超声换能器,其特征在于,所述第一表面上形成多个半圆柱体状的所述第一凹槽,所述第二电极层包括并行设置的半圆柱体状的所述第一导电部,各所述第一导电部分别设置在各所述第一凹槽内。
5.如权利要求2至4中任一项所述的超声换能器,其特征在于,所述多个第一导电部具有远离所述第一电极层的第一上表面,所述第一上表面与所述压电层的所述第一表面在同一平面上。
6.如权利要求2所述的超声换能器,其特征在于,每个所述压电单元包括一个与所述第一表面相对的第二表面,每个压电单元的第一表面上形成一个所述第一凹槽,所述第二表面包括凸面,所述第一电极层中具有多个收容空间,所述多个压电单元设置在所述第一电极层的收容空间内,所述多个第一导电部分别设置在所述压电单元的所述第一凹槽内。
7.如权利要求6所述的超声换能器,其特征在于,所述第一电极层具有一个第二上表面,所述压电层的第一表面、所述第一电极层的第二上表面以及所述第一导电部的第一上表面在同一平面上。
8.如权利要求6所述的超声换能器,其特征在于,所述多个压电单元间隔设置。
9.如权利要求2所述的超声换能器,其特征在于,所述第一电极层具有一个第二上表面,所述压电层的第一表面与所述第一导电部的第一上表面在同一个平面上,所述压电层的第一表面与所述第一电极层的第二上表面不在同一平面上。
10.如权利要求2所述的超声换能器,其特征在于,所述超声换能器还包括多个绝缘部,所述第一导电部上形成有第二凹槽,所述绝缘部设置在所述第一导电部的所述第二凹槽内,以使所述绝缘部与所述压电层间隔设置。
11.如权利要求10所述的超声换能器,其特征在于,所述多个绝缘部具有远离所述第一电极层的第三上表面,所述第三上表面与所述压电层的所述第一表面在同一平面上。
12.如权利要求1所述的超声换能器,其特征在于,所述压电层的第一凹槽的凹面朝向所述第一电极层,所述第一电极层包括第一电极本体与多个第二导电部,所述第一电极本体具有靠近所述压电层的第四上表面,所述多个第二导电部设置在所述第四上表面上,且所述多个第二导电部分别设置在所述压电层的所述第一凹槽中,所述第一电极本体的第四上表面、所述第二导电部的下表面以及所述压电层的所述第一表面在同一平面上。
13.如权利要求12所述的超声换能器,其特征在于,所述压电层的所述第一表面上形成阵列设置且呈半球状的所述第一凹槽,所述第一电极层包括阵列设置的半球状的所述第二导电部,各所述第二导电部分别设置在所述压电层的各所述第一凹槽内。
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