[发明专利]一种电子设备用的高散热铜箔及其制备方法

说明书

本发明公开一种电子设备用的高散热铜箔及其制备方法，包括以下重量份数配比的原料：甲基乙烯基MQ高粘度硅树脂120‑125份、石墨烯粉体75‑87份、氧化镉1‑3份、氧化锑2‑4份、三氧化钼1‑3份、铜粉324‑335份、纳米铍2‑4份、纳米氮化铝38‑77份、铝粉55‑60份、硅化镁3‑5份、氧化钪1‑3份、纳米钛20‑22份和纳米锆7‑9份，该电子设备用的高散热铜箔具有出色的导热性能，可以用在各种的电子设备中。

技术领域

本发明涉及一种电子设备用的高散热铜箔及其制备方法。

背景技术

铜箔具有低表面氧气特性，可以附着与各种不同基材，如金属，绝缘材料等，拥有较宽的温度使用范围。主要应用于电磁屏蔽及抗静电，将导电铜箔置于衬底面，结合金属基材，具有优良的导通性，并提供电磁屏蔽的效果。可分为：自粘铜箔、双导铜箔、单导铜箔等。

高散热铜箔常常用在各自的电子设备中，常常用作散热用，因此，本领域的技术人员。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种具有出色的导热性能，可以用在各种的电子设备中的电子设备用的高散热铜箔。

为解决上述问题，本发明采用如下技术方案：

一种电子设备用的高散热铜箔，包括以下重量份数配比的原料：甲基乙烯基MQ高粘度硅树脂120-125份、石墨烯粉体75-87份、氧化镉1-3份、氧化锑2-4份、三氧化钼1-3份、铜粉324-335份、纳米铍2-4份、纳米氮化铝38-77份、铝粉55-60份、硅化镁3-5份、氧化钪1-3份、纳米钛20-22份和纳米锆7-9份。

进一步的，包括以下重量份数配比的原料：甲基乙烯基MQ高粘度硅树脂120份、石墨烯粉体75份、氧化镉1份、氧化锑2份、三氧化钼1份、铜粉324份、纳米铍2份、纳米氮化铝38份、铝粉55份、硅化镁3份、氧化钪1份、纳米钛20份和纳米锆7份。

进一步的，包括以下重量份数配比的原料：甲基乙烯基MQ高粘度硅树脂125份、石墨烯粉体87份、氧化镉3份、氧化锑4份、三氧化钼3份、铜粉335份、纳米铍4份、纳米氮化铝77份、铝粉60份、硅化镁5份、氧化钪3份、纳米钛22份和纳米锆9份。

进一步的，包括以下重量份数配比的原料：甲基乙烯基MQ高粘度硅树脂123份、石墨烯粉体80份、氧化镉2份、氧化锑3份、三氧化钼2份、铜粉330份、纳米铍3份、纳米氮化铝50份、铝粉57份、硅化镁4份、氧化钪2份、纳米钛21份和纳米锆8份。

本发明要解决的另一技术问题是提供一种电子设备用的高散热铜箔的制备方法，包括以下步骤：

1）将铜粉324-335份、纳米铍2-4份、纳米氮化铝38-77份、铝粉55-60份、硅化镁3-5份、氧化钪1-3份、纳米钛20-22份和纳米锆7-9份一起倒入到三维运动混合机中进行混合处理，使得物料混合均匀，制得混合物料，备用；

2）将步骤1）制得的混合物料采用烧结的方式，烧结出胚件，其中，烧结温度为900-1000℃，烧结压力为60-90Mpa，烧结时间为60-90分钟，制得胚件，备用；

3）将步骤2）制得的胚件采用压延机将胚件压制成薄膜，制得铜箔基体，备用；

4）将石墨烯粉体75-87份、氧化镉1-3份、氧化锑2-4份和三氧化钼1-3份一起倒入到甲基乙烯基MQ高粘度硅树脂120-125份中，搅拌均匀后涂抹在铜箔基体表面，使得铜箔基体被包覆着，即得高散热铜箔。

本发明的有益效果是：通过添加有纳米氮化铝可以有效的提升整体的导热性能，同时加入了纳米钛和纳米锆能够提升整体的耐腐性性能，对整体的导热性能影响较少，再加成品后表面包覆有高导热的石墨烯粉体功能层，不仅提升了整体的导热性能，同时又能够起到良好的防护效果，能够有效的防止内部的铜箔基体被腐蚀。