[发明专利]阵列基板的制作方法

说明书

本发明公开了一种阵列基板的制作方法，包括步骤：底层制作步骤、第一掩膜蚀刻步骤、第一剥离步骤、顶层制作步骤、第二掩膜蚀刻步骤以及第二剥离步骤。本发明通过将制作阵列基板上的走线过孔、深孔及屏下摄像孔时的三张掩膜板合并为一张掩膜板，大大降低生产成本，增加了制作阵列基板段设备产能，提高收益。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，主动矩阵有机发光二极体(AMOLED)全面屏已经成为主流显示技术，为提高视觉享受，增大显示面积，屏下挖孔技术应运而生。屏下挖孔技术的运用会带来很多新的技术难题。本发明针对屏下挖孔技术做了一定的创新应用。目前技术主要通过增加掩膜板(Mask)道数来形成阵列基板的孔状结构，通常包括湿法蚀刻和干法蚀刻以及剥离光阻步骤，此三个步骤均有一张配套掩膜板。

如图1所示，为现有的一种阵列基板的结构示意图，阵列基板90包括显示区901、邦定区902以及屏下摄像头区903。

在显示区901内设有薄膜晶体管单元，所述显示区901包括从下至上依次层叠设置的衬底基板91、阻挡层92、缓冲层93、薄膜晶体管单元结构层94、第一平坦层95、换线层96、第二平坦层97、阳极层98、像素定义层99以及支撑层911，其中所述薄膜晶体管单元结构层94包括从下至上依次层叠设置的有源层941、第一绝缘层942、第一金属层943、第二绝缘层944、第二金属层945、层间绝缘层946、源漏电极金属层947以及钝化层948，第一金属层943作为栅极，在第一金属层943与第二金属层945之间形成电容。其中，在换线层96和源漏电极金属层947之间以及在源漏电极金属层947和有源层941、第一金属层943、第二金属层945之间均设有走线过孔910。

在邦定区902内与显示区901内结构相比，不设置薄膜晶体管单元的有源层941、第一金属层943与第二金属层945，同时还包括设置在源漏电极金属层947下方的深孔920，深孔920内填充色阻层949便于弯折，深孔920从上至下依次贯穿层间绝缘层946、第二绝缘层944、第一绝缘层942、缓冲层93、阻挡层92，其孔底不到达衬底基板91。

在屏下摄像头区903内与邦定区902结构相比，不设置薄膜晶体管单元结构层94上方的结构，而且设有与深孔920类似的屏下摄像孔930，屏下摄像孔930的深度大于深孔920的深度，其孔底位于衬底基板91的中部，且在屏下摄像孔930内填充色阻层949，钝化层948覆盖在屏下摄像孔930侧壁上。

在制作走线过孔910、深孔920及屏下摄像孔930时，分别使用一张配套的掩膜板，从而共需三张掩膜板，生产成本高。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种阵列基板的制作方法，可解决制作阵列基板上的走线过孔、深孔及屏下摄像孔时使用三张掩膜板导致生产成本高，收益少的技术问题。

为了实现上述目的，本发明提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板设有显示区、邦定区以及屏下摄像头区，其包括以下步骤：

底层制作步骤，在一衬底基板上从下至上依次制作阻挡层、缓冲层、有源层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、层间绝缘层；

第一掩膜蚀刻步骤，在所述层间绝缘层上覆盖第一掩膜层，并使用一掩膜板蚀刻至所述缓冲层形成走线过孔、深孔及屏下摄像孔中的至少一种，所述走线过孔位于所述显示区，所述深孔位于所述邦定区，所述屏下摄像孔位于所述屏下摄像头区；

第一剥离步骤，通过剥离将剩余的所述第一掩膜层去除；

顶层制作步骤，在所述层间绝缘层上从下至上依次制作有机填充层、源漏电极金属层、钝化层、第二平坦层、阳极层、像素定义层以及支撑层，所述有机填充层填充于所述深孔中；