[发明专利]CIS器件的制作方法有效
| 申请号： | 202010679937.1 | 申请日： | 2020-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN111697016B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 焦鹏;王晓日;程刘锁 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cis 器件 制作方法 | ||
1.一种CIS器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在具有第一导电类型的衬底上定义像素区，所述像素区包括用于形成CIS器件的MOS管区域和光电二极管区域；
在所述光电二极管区域形成具有第二导电类型的阱区，第一导电类型与第二导电类型相反；
在所述光电二极管区域的所述阱区表面和所述衬底表面形成富硅氧化层，所述富硅氧化层为具有不同折射率的双层结构，上层富硅氧化层的折射率小于下层富硅氧化层的折射率，所述上层富硅氧化层的厚度大于所述下层富硅氧化层的厚度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底表面形成富硅氧化层，包括：
在所述衬底表面沉积第一层富硅氧化层；
在所述第一层富硅氧化层的上方沉积第二层富硅氧化层；
其中，所述第二层富硅氧化层的折射率小于所述第一层富硅氧化层的折射率，所述第一层富硅氧化层的厚度小于所述第二层富硅氧化层的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在形成所述富硅氧化层的过程中，通过控制硅烷的流量调节所述富硅氧化层的折射率。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述光电二极管区域的阱区顶部形成具有第一导电类型的掺杂区。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述MOS管区域形成栅介质层；
形成所述MOS管的栅极结构；
在所述MOS管的栅极结构两侧形成栅极侧墙。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述光电二极管区域形成具有第二导电类型的阱区，包括：
通过离子注入工艺，在所述光电二极管区域形成具有第二导电类型的阱区。
8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述光电二极管区域的阱区顶部形成具有第一导电类型的掺杂区，包括：
通过离子注入区域，在所述光电二极管区域的阱区顶部形成具有第一导电类型的掺杂区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
