[发明专利]一种二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种二极管，其包括：

衬底；

在所述衬底上形成的第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成的第二半导体层；

生成二维电荷载流子气的一界面；

衬底上形成的与所述二维电荷载流子气极性相反的第三半导体层；

与二维电荷载流子气形成欧姆接触的第一电极；

与所述第三半导体层形成欧姆接触或肖特基接触的第二电极；或者与所述第二半导体层形成肖特基接触的第二电极。

2.如权利要求1所述的二极管，其中：

所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的界面处形成二维电荷载流子气；

在所述第一半导体层中形成的所述第三半导体层。

3.如权利要求1所述的二极管，其中在所述第一半导体层第一表面上形成的第三半导体材料层。

4.如权利要求3所述的二极管，其中在除所述第三半导体层外的所述第三半导体材料层中具有改变其局部性质的改性杂质离子。

5.如权利要求1-4中任一项所述的二极管，其中通过对所述第三半导体层掺杂浓度的调整使得所述第三半导体层与所述二维电荷载流子气在投影上的接触长度d大于0.1微米。

6.一种二极管的制造方法，其包括：

提供一衬底；

在所述衬底上外延生长第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成第二半导体层；

提供一产生二维电荷载流子气的界面；

在所述衬底上形成与所述二维电荷载流子气极性相反的第三半导体层；

形成与所述二维电荷载流子气欧姆接触的第一电极；

形成与所述第三半导体层欧姆接触或肖特基接触的第二电极；或者形成与所述第二半导体层肖特基接触的第二电极。

7.如权利要求6所述的制造方法，其中在所述第一半导体层的第一表面上形成所述第三半导体材料层，然后通过离子注入在所述第三半导体材料层中注入改性杂质离子，改变其局部性质。

8.如权利要求6-7中任一项所述的制造方法，其中在形成所述第二半导体层之前，形成一第四半导体层。

9.如权利要求6-8所述的制造方法，其中所述第二电极包括下述任一种或多种组合限定：

在所述第三半导体层的上形成所述第二电极；

在所述第三半导体层的侧面形成所述第二电极；

所述第二电极具有两个子电极，其中在所述第三半导体层的上表面形成第一和第二子电极，所述第一子电极与所述第三半导体层形成欧姆接触，所述第二子电极与所述二维电荷载流子气形成欧姆接触或肖特基接触；

所述第二电极具有两个子电极，其中在所述第三半导体层的侧表面形成第一子电极，在所述第三半导体层的上表面形成第二子电极，所述第一子电极与所述第三半导体层形成欧姆接触，所述第二子电极与所述二维电荷载流子气形成欧姆接触或肖特基接触。

10.一种电子设备，其包括权利要求1-9中任一项的二极管。