[发明专利]一种二维材料、纳米片及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202010674834.6 申请日: 2020-07-14
公开(公告)号: CN111960976B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 徐刚;李艳周 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C07C323/20 分类号: C07C323/20;C07C323/34;C07C323/09;C07C323/62;C07C319/02
代理公司: 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 代理人: 张莹;王聪
地址: 350002 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 二维 材料 纳米 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种二维晶体材料的制备方法,其特征在于,包括:

使结构式为X-Y-Z的配体与M源反应,剥离,得到所述二维晶体材料;

所述二维晶体材料具有式Ⅰ所示的化学式:

(X-Y-Z)aMb式Ⅰ

其中,X选自羟基、羧基、醛基、卤素基团、硝基、磺酸基、磷酸基、氨基、氰基、硫氰基中的至少一种;

Y选自烷烃、烯烃、炔烃、苯环、杂环芳烃中的至少一种;

Z选自硫醇基;

M选自铜、金、银中的至少一种;

a、b各自独立地为1~6。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,

Z与M配位连接;

X覆盖所述二维材料的表面。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述二维材料的表面被X完全覆盖。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述二维材料为具有1~10个分子层的片状二维材料。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述二维材料的厚度为1~20 nm。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述二维材料为单层二维材料。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,

所述单层二维晶体材料与所述单层二维晶体材料之间可通过弱作用堆积,形成多层二维晶体材料;

所述弱作用包括范德华力、氢键或静电作用。

8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,

所述反应的反应温度为85~100℃,反应时间为1h~12d。

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