[发明专利]处理液释放喷嘴、喷嘴臂、基片处理装置和基片处理方法在审
| 申请号: | 202010673489.4 | 申请日: | 2020-07-14 |
| 公开(公告)号: | CN112242321A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
| 发明(设计)人: | 天野嘉文;相浦一博;植木达博 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 释放 喷嘴 装置 方法 | ||
本发明提供处理液释放喷嘴、喷嘴臂、基片处理装置和基片处理方法。实施方式的处理液释放喷嘴是释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴。处理液释放喷嘴包括喷嘴主体部和角度改变机构。喷嘴主体部包括:形成有与处理液供给通路连通的第1流路的第1主体部;和形成有与第1流路连通的第2流路,并相对于第1主体部弯曲的第2主体部。角度改变机构相对于固定喷嘴主体部的固定部件,改变水平方向上的喷嘴主体部的角度。本发明能够抑制颗粒的产生。
技术领域
本发明涉及处理液释放喷嘴、喷嘴臂、基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
在专利文献1中,公开了从处理液喷嘴向基片释放处理液的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2019-40958号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种抑制颗粒的产生的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的处理液释放喷嘴是释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴。处理液释放喷嘴包括喷嘴主体部和角度改变机构。喷嘴主体部包括:形成有与处理液供给通路连通的第1流路的第1主体部;和形成有与第1流路连通的第2流路,并相对于第1主体部弯曲的第2主体部。角度改变机构相对于固定喷嘴主体部的固定部件,改变水平方向上的喷嘴主体部的角度。
发明效果
依照本发明,能够抑制颗粒的产生。
附图说明
图1是表示第1实施方式的基片处理装置的构成的示意图。
图2是第1实施方式的处理液供给部的立体图。
图3是第1实施方式的处理液供给部的俯视图。
图4是图3的IV-IV剖视图。
图5是第1实施方式的处理液释放喷嘴的正视图。
图6是第1实施方式的处理液释放喷嘴的俯视图。
图7是图6的VII-VII剖视图。
图8是说明第1实施方式的释放角度改变处理的流程图。
图9是第2实施方式的处理液供给部的俯视图。
图10是第2实施方式的处理液释放喷嘴的俯视图。
图11是图10的XI-XI剖视图。
图12是从斜下方观察第2实施方式的处理液释放喷嘴而得的立体图。
图13是图9的XIII-XIII剖视图。
图14是第3实施方式的处理液供给部的俯视图。
图15是说明第3实施方式的处理液释放喷嘴和气体释放喷嘴的配置的示意图。
图16是表示第4实施方式的基片处理装置的一部分的立体图。
图17是表示在第4实施方式的基片处理装置中,处理液释放喷嘴处于待机位置的状态的示意图。
图18是表示在第4实施方式的基片处理装置中,处理液释放喷嘴处于释放位置的状态的示意图。
图19是表示在第5实施方式的基片处理装置中,第1导通部处于非接触位置的状态的示意图。
图20是表示在第5实施方式的基片处理装置中,第1导通部处于接触位置的状态的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





