[发明专利]多阈值电压器件以及相关联的技术和结构在审
| 申请号： | 202010671465.5 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN111785780A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | J·M·施泰格瓦尔德;T·加尼;J·胡;I·R·C·波斯特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/78;H01L27/088;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张亚峰 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阈值 电压 器件 以及 相关 技术 结构 | ||
1.一种装置，包括：
第一鳍状部和第二鳍状部，其中，所述第一鳍状部和所述第二鳍状部包括硅；
第一n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管的第一栅极电极，所述第一栅极电极位于所述第一鳍状部的顶部表面和侧壁上，所述第一栅极电极包括具有第一厚度的位于所述第一鳍状部的顶部表面之上的第一层，所述第一栅极电极的第一层具有成分；
第二NMOS晶体管的第二栅极电极，所述第二栅极电极位于所述第二鳍状部的顶部表面和侧壁上，其中，所述第二栅极电极包括具有第二厚度的位于所述第二鳍状部的顶部表面之上的第二层，所述第二厚度与所述第一厚度不同，所述第二栅极电极的第二层具有成分，其中，所述第一层和所述第二层包括钽、钛和铝，并且其中，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极在所述第一层和所述第二层之上分别包括填充材料；以及
第一栅极电介质和第二栅极电介质，所述第一栅极电介质位于所述第一栅极电极与所述第一鳍状部之间，所述第二栅极电介质位于所述第二栅极电极与所述第二鳍状部之间，所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质包括铪和氧。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极包括包含有各自的第一层和第二层的多个层，其中，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极的多个层由相同的材料形成，并且其中，所述第一层和所述第二层在各自的多个层内具有相同的顺序。
3.根据权利要求1所述的装置，还包括：
第三鳍状部；以及
第三栅极电极，所述第三栅极电极位于所述第三鳍状部的顶部表面和侧壁上，其中，所述第三栅极电极包括具有第三厚度的位于所述第三鳍状部的顶部表面之上的第三层，所述第三厚度与所述第一厚度和所述第二厚度不同，其中，所述第三层包括钽。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一层和所述第二层包括第一金属，并且其中，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极还包括位于各自的第一层和第二层上的第二金属。
5.根据权利要求4所述的装置，其中：
所述第一金属是p型功函数金属并且所述第二金属是n型功函数金属，或者
所述第一金属是n型功函数金属并且所述第二金属是p型功函数金属。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一层和所述第二层包括第一金属，
其中，所述第一栅极电极包括位于所述第一层上并且与所述第一层接触的第二金属，并且其中，所述第二栅极电极包括位于所述第二层上并且与所述第二层接触的第三金属，其中，所述第一金属、所述第二金属和所述第三金属具有不同的化学成分。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一层和所述第二层包括第一金属，并且其中，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极还包括：
位于所述第一层上并且与所述第一层接触的第二金属；以及
位于所述第二金属上并且与所述第二金属接触的第三金属，其中，所述第三金属的功函数比所述第一金属更为p型并且比所述第二金属更为n型。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一鳍状部和所述第二鳍状部未被掺杂。
9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一厚度是5埃或更小并且所述第二厚度大于5埃。
10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电极的第一功函数和所述第二电极的第二功函数基于各自的第一厚度和第二厚度。
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