[发明专利]一种吡唑啉类化合物、感光性树脂组合物及图形化方法

说明书

本发明提供了一种吡唑啉类化合物、感光性树脂组合物及图形化方法。该吡唑啉类化合物具有如通式I所示结构，其中，R₁、R₂、R₃各自独立地表示H、卤素、羧基、硝基、氰基、胺基、羟基、C₁～C₂₀的烷基、C₁～C₁₀的烷氧基、C₁～C₁₀的烷基酯基、C₁～C₂₀的烷基胺基中的任意一个或多个基团，且各基团中的亚甲基可任选地被氧、硫、亚胺基取代；a表示0～4中的任意一个整数，b表示0～3中的任意一个整数，c表示0～5中的任意一个整数。上述吡唑啉类化合物的吸收波段在380～410nm，适合作为增感剂使用，能够大大提升光固化体系的感光度。上述吡唑啉类化合物可以使得组合物具有高感光度、高分辨率和高附着力的特点。

技术领域

本发明涉及光致抗蚀材料技术领域，具体而言，涉及一种吡唑啉类化合物、感光性树脂组合物及图形化方法。

背景技术

随着近年来印刷线路板中布线间隔的小型化，干膜抗蚀剂需要高分辨率，以便以高良率制造窄间距图案。因此，随着印刷线路板的高密度化要求越来越高，线路与基板的接触面积变得越来越小，能够形成分辨率和附着力优异的抗蚀剂图案的感光性树脂组合物的要求也随之越来越高。另外，从提高生产率的观点出发，也需求该感光性树脂具有高感光度化。

作为光致抗蚀图形的形成方法，不使用光掩模图形而直接绘图光致抗蚀图形的直接绘图曝光法受到注目，认为依据该直接绘图曝光法，可形成高生产性且高分辨率的光致抗蚀图形。

于是近年来，基于激光的直接绘图曝光法急剧发展。作为无掩模曝光的光源，大多使用波长350～410nm的光，特别是i射线(365nm)或h射线(405nm)。因此，能对这些波长区域，特别是h射线的光源形成高感光度、高分辨率的抗蚀图案受到重视。相应的，能够形成高感光度、高分辨率和附着力优异的抗蚀剂图案的感光性树脂组合物的要求正在提高。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种吡唑啉类化合物、感光性树脂组合物及图形化方法，以解决现有技术中的感光性树脂组合物的难以同时具有优异的感光度、分辨率和附着力的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种吡唑啉类化合物，该吡唑啉类化合物具有如通式I所示结构：

其中，R₁、R₂、R₃各自独立地表示卤素、羧基、硝基、氰基、胺基、羟基、C₁～C₂₀的烷基、C₁～C₁₀的烷氧基、C₁～C₁₀的烷基酯基、C₁～C₂₀的烷基胺基中的任意一个或多个基团，且各基团中的亚甲基可以任选地被氧、硫、亚胺基所取代；a表示0～4中的任意一个整数，b表示0～3中的任意一个整数，c表示0～5中的任意一个整数，且在a大于或等于2的情况下，多个存在的R₁各自可以相同也可以不同；在b大于或等于2的情况下，多个存在的R₂各自可以相同也可以不同；在c大于或等于2的情况下，多个存在的R₃各自可以相同也可以不同。

进一步地，上述R₁、R₂、R₃各自独立地为氟基、氯基、溴基、硝基、氰基、胺基、羟基、C₁～C₁₀的烷基、C₁～C₆的烷氧基、C₁～C₁₀的烷基胺基、C₁～C₆的烷基酯基中的任意一个或多个基团。