[发明专利]一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座在审

专利信息
申请号: 202010669548.0 申请日: 2020-07-13
公开(公告)号: CN111996587A 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 陈永贵;张培林;武建军;柴利春;张作文;王志辉 申请(专利权)人: 大同新成新材料股份有限公司
主分类号: C30B15/10 分类号: C30B15/10;C30B29/06
代理公司: 太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119 代理人: 杨凯;连慧敏
地址: 037002 *** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 半导体 级硅单晶炉 石墨 坩埚
【说明书】:

发明公开了一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座,包括支撑板A,所述支撑板A顶部两侧对称设置有仓体,所述仓体内底部设置有弹簧A,所述弹簧A的顶部设置有支撑杆A,所述支撑杆A的顶部设置有支撑板B,两组所述支撑板B相互靠近的一侧设置有支撑杆B,所述支撑杆B外侧的两侧对称设置有弹簧B,所述支撑板B外侧的中间位置处对称设置有滑块,所述支撑板B的顶部设置有支撑板C;本发明装置通过给装置适配一个底座,在底座上设置多个固定销,在装置的底座设置多个固定孔,固定销与固定孔相互适配,将装置的固定孔与底座的固定销相互重合,做到固定作用,安装时就不需要大量的人员来进行安装,省时省力。

技术领域

本发明涉及硅单晶炉技术领域,具体为一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座。

背景技术

半导体级硅单晶炉是单晶硅产业链中重要的晶体生长设备,目前,世界上用于硅单晶体生长的主流方法主要有两种:一种是区熔法,另一种是直拉法,其中直拉法具有生长单晶质量大、直径大、成本低廉、生产效率高等优点,一直是半导体硅衬底制备的主要手段,直拉法要求坩埚同时具备旋转与升降功能,同时由于坩埚处于热场中心,受高温辐射易变形,因此承载坩埚的石墨坩埚座的稳定性、可靠性及耐热性极为重要,受热后应力集中,材料力学强度较低,经常出现受热变形及开裂的现象,故障率极高,严重影响设备的稳定性与生产效率,如何提高石墨坩埚座的稳定性、可靠性及耐热性已经成为本领域密切关注的课题;

现有装置具有以下几点不足之处:

1.现有的装置大多数都是瓣式的,瓣式的在安装的过程中,非常的不方便,需要多个人员一起安装才能完成,消耗大量的人力;

2.再将装置暗转在这个完成后,装置得不到固定作用,很容易倒下来,因此在安装时会有阻碍;

3.在装置内注入原料时,装置没有一个缓冲的效果,这样会破坏装置,减少装置使用的寿命。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座,以解决上述背景技术中提出1.现有的装置大多数都是瓣式的,瓣式的在安装的过程中,非常的不方便,需要多个人员一起安装才能完成,消耗大量的人力;2.再将装置暗转在这个完成后,装置得不到固定作用,很容易倒下来,因此在安装时会有阻碍;3.在装置内注入原料时,装置没有一个缓冲的效果,这样会破坏装置,减少装置使用的寿命的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座,包括支撑板A,所述支撑板A顶部两侧对称设置有仓体,所述仓体内底部设置有弹簧A,所述弹簧A的顶部设置有支撑杆A,所述支撑杆A的顶部设置有支撑板B,两组所述支撑板B相互靠近的一侧设置有支撑杆B,所述支撑杆B外侧的两侧对称设置有弹簧B,所述支撑板B外侧的中间位置处对称设置有滑块,所述支撑板B的顶部设置有支撑板C,所述支撑板C的顶部设置有底座,所述底座内底部的设置有多组固定销,所述底座内部的底部设置有多组坩埚座,所述坩埚座底部的中间位置处设置有固定孔,所述支撑板A顶部中间位置处对称设置有支撑柱,所述支撑柱的顶部设置有齿轮,所述坩埚座一端的顶部设置有紧固圈。

优选的,所述固定孔与固定销相互卡合。

优选的,所述滑块的底部设置有齿条,且齿轮与齿轮相互啮合。

优选的,所述紧固圈一端的一侧设置有卡勾,所述紧固圈的另一端设置有卡扣,且卡勾与卡扣相互适配。

优选的,所述卡扣的手持处设置有防滑纹。

优选的,所述支撑杆A的底部设置有限位板。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:该用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座;

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