[发明专利]一种高质量草状五氧化二钒晶体及其制备方法和基于其的低维材料有效
申请号: | 202010668344.5 | 申请日: | 2020-07-13 |
公开(公告)号: | CN111876826B | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 谢伟广;曾文;陈楠;张宇靖;赖浩杰 | 申请(专利权)人: | 暨南大学 |
主分类号: | C30B29/16 | 分类号: | C30B29/16;C30B23/00;C30B29/60;B82Y40/00 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 杨燕瑞 |
地址: | 510632 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 质量 草状五 氧化 晶体 及其 制备 方法 基于 材料 | ||
1.一种高质量草状V2O5晶体的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)将V2O5粉末置于加热容器中作为蒸发源置于管式炉石英管中,衬底放置于管式炉石英管内的载板上面,然后密闭石英管,抽真空;
(2)当真空度≤10Pa,通入O2,压强恒定后,对管式炉进行升温,恒温沉积,得到所述的高质量草状V2O5晶体;
所述的载板为倒机翼状;所述的O2气流量为30-70sccm;所述的恒温温度为700-1000℃。
2.根据权利要求1所述的高质量草状V2O5晶体的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述的载板放置于管式炉边缘,并靠近石英管上端的位置;所述的加热容器放置于管式炉石英管中间。
3.根据权利要求1所述的高质量草状V2O5晶体的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述的加热容器为坩埚、石英舟、陶瓷舟中的一种加热皿;所述的衬底由Si、SiO2、石英、蓝宝石中的一种制备得到。
4.根据权利要求1所述的高质量草状V2O5晶体的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,所述压强为40-80Pa。
5.根据权利要求1所述的高质量草状V2O5晶体的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,所述的升温速率为10-25℃/min。
6.根据权利要求1所述的高质量草状V2O5晶体的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,所述恒温沉积时间为2-4h。
7.一种高质量草状V2O5晶体,其特征在于根据权利要求1-6任一项所述的制备方法得到。
8.一种V2O5纳米线,其特征在于:将权利要求7所述的高质量草状V2O5晶体置于玻璃试剂瓶中,加入20体积份的乙醇,摇晃试剂瓶1min,使所述V2O5晶体均匀分散于乙醇中;将上述分散液滴在石英衬底上,待乙醇挥发后,即可在石英衬底上得到分散的、长度达厘米级的V2O5纳米线。
9.一种V2O5纳米片/纳米带,其特征在于:将权利要求7所述的高质量草状V2O5晶体置于玻璃试剂瓶中,加入20体积份的丙酮,超声处理15min,超声功率80W/cm2,使所述V2O5晶体震碎并均匀的分散于丙酮中,最后,将上述分散液滴在石英衬底上,试剂挥发后,即可在石英衬底上得到V2O5纳米片/纳米带。
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