[发明专利]一种体声波滤波器及其制作方法和集成芯片

权利要求书

1.一种体声波滤波器，其特征在于，包括：

衬底；

压电层，设置在所述衬底上，所述压电层包括单晶氮化铝薄膜和中间层，所述中间层设置在所述衬底和单晶氮化铝薄膜之间，且所述中间层为所述单晶氮化铝薄膜提供生长环境，以减小所述衬底和单晶氮化铝薄膜之间的应力和晶体缺陷；

上电极、金属层，分别设置在所述压电层上；

下空腔，贯穿于所述衬底；以及

下电极，设置在所述下空腔中，与所述压电层相贴，且通过通孔与所述金属层连接。

2.如权利要求1所述的一种体声波滤波器，其特征在于，所述中间层包括种子层，所述种子层设置在所述衬底上，所述种子层由氮化物材料构成。

3.如权利要求2所述的一种体声波滤波器，其特征在于，所述中间层包括过渡层，所述过渡层设置在所述种子层的上方，所述过渡层由铝氮化合物材料构成；

在构成所述过渡层的铝氮化合物材料中，靠近所述单晶氮化铝薄膜的铝组分浓度大于靠近所述衬底的铝组分浓度。

4.如权利要求3所述的一种体声波滤波器，其特征在于，所述过渡层为超晶格结构。

5.如权利要求1所述的一种体声波滤波器，其特征在于，所述中间层包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述衬底和单晶氮化铝薄膜之间，所述缓冲层由氮化铝材料构成。

6.如权利要求5所述的一种体声波滤波器，其特征在于，所述缓冲层的厚度在0.01-2微米之间。

7.如权利要求1所述的一种体声波滤波器，其特征在于，所述体声波滤波器还包括应力吸收层，所述应力吸收层设置在所述中间层和衬底之间，所述应力吸收层用于吸收所述衬底材料和单晶氮化铝薄膜材料之间的热膨胀系数和晶格常数不同而引起的应力。

8.一种体声波滤波器的制作方法，其特征在于，包括步骤：

形成衬底；

在所述衬底上形成中间层；

在所述中间层上生长单晶氮化铝薄膜；

在所述单晶氮化铝薄膜上形成上电极和金属层；

在所述衬底背面形成贯穿所述衬底的下空腔；以及

在所述下空腔中形成与所述压电层相贴，且通过通孔与所述金属层连接的下电极。

9.如权利要求8所述的一种体声波滤波器的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成中间层的步骤中，包括步骤：

在所述衬底上形成由氮化物材料构成的种子层；以及

在所述种子层上形成由铝氮化合物材料构成的过渡层，且沿着背离所述衬底的方向，铝氮化合物材料中铝组分浓度逐渐增大；

其中，所述过渡层通过在金属有机化学气相沉积的反应炉中增加含铝气源来提高过渡层中的铝组分。

10.一种集成芯片，其特征在于，所述集成芯片包括如权利要求1-7任意一项所述的体声波滤波器。