[发明专利]自由基辅助点火等离子体系统和方法在审
| 申请号: | 202010667831.X | 申请日: | 2020-07-13 |
| 公开(公告)号: | CN112242300A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
| 发明(设计)人: | 崎口博夫 | 申请(专利权)人: | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/67;H01J37/305;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 自由基 辅助 点火 等离子体 系统 方法 | ||
1.一种在衬底上形成图案化特征的方法,所述方法包括以下步骤:
在反应室内提供所述衬底;
使用远程等离子体单元,形成第一活化物种;
将所述第一活化物种提供到所述反应室,持续第一时间间隔;以及
在启动将所述第一活化物种提供到所述反应室的步骤之后,在所述反应室内形成第二活化物种,持续第二时间间隔,
其中所述第一时间间隔和所述第二时间间隔重叠。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括将氩气提供到所述远程等离子体单元的步骤。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述衬底包含特征。
4.根据权利要求3所述的方法,还包括使用所述第二活化物种修整所述特征的步骤。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述特征包含碳。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述特征包含光刻胶、旋涂碳(SOC)材料和碳硬掩模(CHM)材料中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二反应性物种使用直接等离子体形成。
8.根据权利要求1所述的方法,其中形成所述第二反应性物种的步骤包含将含氧气体提供到所述反应室。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述含氧气体包含选自包含O2、CO2和N2O的群组的一种或多种气体。
10.根据权利要求8所述的方法,其中所述含氧气体未被供应到所述远程等离子体单元。
11.一种修整衬底上的特征的方法,所述方法包括以下步骤:
在反应室内提供所述衬底;
使用远程等离子体单元,形成第一活化物种;
将所述第一活化物种提供到所述反应室,持续第一时间间隔;
在启动将所述第一活化物种提供到所述反应室的步骤之后,在所述反应室内形成第二活化物种,持续第二时间间隔,其中所述第一时间间隔和所述第二时间间隔重叠;以及
使用所述第二活化物种修整所述特征。
12.根据权利要求11所述的方法,其中将第一气体提供到所述远程等离子体单元以形成所述第一活化物种,将第二气体提供到所述反应室以形成所述第二活化物种,并且其中所述第一气体和所述第二气体是不同的。
13.根据权利要求11所述的方法,其中所述特征包含碳。
14.根据权利要求11所述的方法,其中所述特征包含光刻胶、旋涂碳(SOC)材料和碳硬掩模(CHM)材料中的一种或多种。
15.根据权利要求11所述的方法,其中形成第二活化物种的步骤包含将含氧气体提供到所述反应室。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述含氧气体包含选自包含O2、CO2和N2O的群组的一种或多种气体。
17.根据权利要求15所述的方法,其中所述含氧气体未被供应到所述远程等离子体单元。
18.根据权利要求11所述的方法,其中在形成所述第二活化物种的步骤期间所述反应室内的压力在约200Pa与约600Pa之间。
19.根据权利要求11所述的方法,其中所述第一活化物种包含氩气活化物种。
20.一种系统,其被配置成执行根据权利要求1至19所述的方法中的任一方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





