[发明专利]热处理装置和热处理方法

说明书

本发明提供一种热处理装置和热处理方法。对形成有抗蚀剂的覆膜且该覆膜被实施了曝光处理的基片进行热处理的热处理装置即热处理单元(U8)包括：能够支承并加热基片的加热板(21)；覆盖加热板(21)上的处理空间(S)的腔室(41)；在腔室(41)内，从上方朝向加热板上的基片释放处理用气体的气体释放部(50)；在腔室(41)内，从比基片的表面靠下方的位置向腔室内供给气体的气体供给部即气体流路(81)；和排气机构(70)，其经由设置在处理空间(S)的上方且具有朝向下方的开口的排气孔(71)，对腔室内进行排气。根据本发明，能够抑制来自基片上的覆膜的升华物的飞散。

技术领域

本发明涉及热处理装置和热处理方法。

背景技术

为了实现抗蚀剂图案的细微化，提案有对使用含有金属的抗蚀剂即含金属抗蚀剂的基片进行热处理的技术(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2016-530565号公报。

发明内容

发明所要解决的问题

本发明提供抑制来自基片上的覆膜的升华物的飞散的技术。

用于解决问题的技术手段

本发明的一个方式的热处理装置对形成有抗蚀剂的覆膜且该覆膜被实施了曝光处理的基片进行热处理，其包括：能够支承并加热所述基片的加热板；覆盖所述加热板上的处理空间的腔室；气体释放部，其在所述腔室内，从上方朝向所述加热板上的所述基片释放处理用气体；气体供给部，其在所述腔室内，从比所述基片的表面靠下方的位置向所述腔室内供给气体；和排气部，其经由设置在所述处理空间的上方且具有朝向下方的开口的排气孔，对所述腔室内进行排气。

发明的效果

根据本发明，能够提供抑制来自基片上的覆膜的升华物的飞散的技术。

附图说明

图1是例示一个例示性实施方式的基片处理系统的概略结构的图。

图2是例示基片处理装置的内部结构的示意图。

图3是表示基片处理方法的一个例子的流程图。

图4是例示第1实施方式的热处理单元的结构的示意图。

图5是例示热处理单元的气体释放部附近的结构的示意图。

图6是例示控制装置的硬件结构的方块图。

图7是例示关于热处理单元中的气体和升华物的移动的模拟结果的图。

图8是例示关于热处理单元的气体和升华物的移动的模拟结果的图。

图9是例示第2实施方式的热处理单元的结构的示意图。

附图标记的说明

1：基片处理系统，2：涂敷及显影装置，20：加热机构，21：加热板，21a：载置面，22：加热板加热器，30：晶片升降机构，40：收纳机构，41：腔室，42：下腔室，43：上腔室，44：支承环，45：腔室驱动部，50：气体释放部，51：释放孔，60：气体供给机构，70：排气机构，71：排气孔，72：排气装置，81、82：气体流路。

具体实施方式

以下，对各种例示性实施方式进行说明。