[发明专利]电源适配器在审

专利信息
申请号: 202010665063.4 申请日: 2020-07-10
公开(公告)号: CN113922679A 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 江森龙;田晨;张加亮 申请(专利权)人: OPPO广东移动通信有限公司
主分类号: H02M5/293 分类号: H02M5/293;H02M7/217;H02J7/10
代理公司: 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 代理人: 刘抗美
地址: 523860 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电源 适配器
【说明书】:

本公开提供了一种电源适配器。电源适配器包括斩波电路、变压器、整流电路。斩波电路包括控制电路以及受控于所述控制电路的高速电子开关,所述高速电子开关在所述控制电路的控制下对交流电源进行斩波;变压器具有初级绕组以及次级绕组;经所述高速电子开关斩波后的交流电能输入至所述初级绕组;整流电路的输入端与所述次级绕组连接,以将所述次级绕组输出的交流电能整流成直流电能输出,用于为电子设备充电。本公开电源适配器的电路结构使得电源适配器具有较小的体积。

技术领域

本公开涉及电子设备充电领域,特别涉及一种电源适配器。

背景技术

电源适配器内的电路一般都是首先对输入的市电进行整流滤波,而后输入至变压器的初级侧,并由PWM调制芯片控制MOS管开断,以对初级侧上的电能进行斩波,从而在变压器次级侧上获得所需要的电压。

然而,受制于整流电路的工作频率,以及MOS管的工作频率的限制,使得斩波频率无法做到很高,导致了变压器、电容、电感等与能量转换相关的元器件无法使用体积小的器件,从而不利于实现适配器朝小型化方向发展。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的一个目的在于提出一种具有较小体积的适配器。

为解决上述技术问题,本公开采用如下技术方案:

根据本公开的一个方面,本公开提供一种电源适配器,包括:

斩波电路,包括控制电路以及受控于所述控制电路的高速电子开关,所述高速电子开关在所述控制电路的控制下对交流电源进行斩波;

变压器,所述变压器具有初级绕组以及次级绕组;经所述高速电子开关斩波后的交流电能输入至所述初级绕组;

整流电路,所述整流电路的第一端与所述次级绕组连接,以将所述次级绕组输出的交流电能整流成直流电能输出,用于为电子设备充电。

根据本公开一实施例,所述高速电子开关至少有四个,且电连接形成全桥电路,以对所述交流电源的正半周电能、负半周电能分别进行斩波。

根据本公开一实施例,所述高速电子开关为GaN开关,至少四个所述GaN开关形成GaN全桥电路;

所述GaN全桥电路的第一端接入交流电源,所述GaN全桥电路的第二端与所述初级绕组连接。

根据本公开一实施例,所述电源适配器还包括LLC谐振电路,所述LLC谐振电路的一端连接于所述GaN全桥电路的输出端,所述初级绕组作为所述LLC谐振电路的谐振电感。

根据本公开一实施例,所述控制电路还用于检测所述交流电源的电压,且所述控制电路用于根据所述交流电源的电压,控制所述GaN全桥电路的斩波频率。

根据本公开一实施例,所述GaN全桥电路包括两个GaN半桥功率驱动芯片,每个所述GaN半桥功率驱动芯片内集成了两个所述GaN开关器件;

所述GaN半桥功率驱动芯片具有第一端、第二端以及受控端;两个所述GaN半桥功率驱动芯片的受控端均与所述控制电路连接;两个所述GaN半桥功率驱动芯片的第一端分别供所述交流电源的火线和零线连接;两个所述GaN半桥功率驱动芯片的第二端均与所述初级绕组连接。

根据本公开一实施例,所述电源适配器还包括同步整流电路,所述同步整流电路至少具有两个开关管,所述控制电路根据所述次级绕组上电压的正、负交替时机,控制两个所述开关管交替导通,以对所述次级绕组上的交流电进行同步整流。

根据本公开一实施例,所述同步整流电路包括第一开关管、第二开关管;所述次级绕组具有第一端、第二端、以及位于所述次级绕组第一端和第二端之间的抽头端;

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