[发明专利]TFT阵列基板、显示装置和TFT阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板包括用于发射第一单色光的单色发光层、至少一条信号线和光转换层；

所述单色发光层和光转换层沿所述单色发光层出光方向依次设置，所述光转换层包括第一光转换区和第二光转换区，所述单色发光层包括第一发光区域，第二发光区域和第三发光区域，所述第二光转换区与所述第三发光区域对应，所述第一光转换区域与所述第二发光区域对应，所述第二光转换区用于将接收的第一单色光转换为第二单色光，所述第一光转换区用于将接收的第一单色光转换为第三单色光，所述第一单色光，第二单色光和所述第三单色光不同；

所述至少一条信号线设置在所述单色发光层中两个不同发光区域之间。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一单色光为蓝色光，所述第二单色光为红光，所述第三单色光为绿光。

3.根据权利要求2所述的AMOLED显示装置，其特征在于，所述信号线表面设有有色金属层。

4.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括遮光层，所述信号线和所述遮光层相对应地设置，所述信号线和所述遮光层沿所述单色发光层的出光方向依次设置。

5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述遮光层的材料为黑色树脂。

6.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述遮光层的宽度大于所述信号线的宽度。

7.根据权利要求1至6任一项所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括保护树脂层，所述保护树脂层覆盖所述光转换层，所述保护树脂层的透光率大于95％。

8.根据权利要求1至6任一项所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括两个椭圆偏振片，所述光转换层和所述椭圆偏振片沿所述单色发光层的出光方向依次设置。

9.一种AMOLED显示装置，其特征在于，包括TFT阵列基板，所述TFT阵列基板为如权利要求1所述的TFT阵列基板。

10.一种TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

制作用于发射第一单色光的单色发光层，所述单色发光层包括第一发光区域，第二发光区域和第三发光区域；

在所述单色发光层不同发光区域之间制作至少一条信号线；

对单色发光层进行封装，形成封装层；

在所述封装层上形成光转换层，所述光转换层包括第一光转换区和第二光转换区，所述第二光转换区与所述第三发光区域对应，所述第一光转换区与所述第二发光区域对应，所述第二光转换区用于将接收的第一单色光转换为第二单色光，所述第一光转换区用于将接收的第一单色光转换为第三单色光，所述第一单色光，第二单色光和所述第三单色光不同。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述封装层上形成光转换层之后，所述方法包括：

在所述至少一条信号线区域形成遮光层；

在所述光转换层和所述遮光层上涂布保护树脂层；

在所述保护树脂层上贴合两个椭圆偏振片。