[发明专利]一种晶圆后处理系统

说明书

本发明公开了一种晶圆后处理系统，包括：清洗槽，用于容纳清洗晶圆的液体；液体喷淋装置，用于在晶圆向下移动浸入液体的过程中向晶圆表面喷淋液体以对晶圆进行冲洗；马兰戈尼干燥装置，用于在晶圆从液体中提升的过程中向晶圆表面附着的弯液面区域喷射干燥气体以进行马兰戈尼干燥；晶圆支撑装置，用于支撑晶圆并在第一定向和第二定向之间摆动以接收沿第一定向进入清洗槽内的晶圆并使晶圆沿第二定向移出清洗槽；晶圆提升装置，用于从液体中沿第二定向提升浸没于其中的晶圆；晶圆限位装置，用于在晶圆沿第二定向上升的过程中在液面下对晶圆两侧进行限位；其中，清洗槽在靠近液体喷淋装置的侧壁顶部设有溢流缺口。

技术领域

本发明涉及化学机械抛光后处理技术领域，尤其涉及一种晶圆后处理系统。

背景技术

化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization,CMP)是集成电路(Integrated Circuit，IC)制造中获得全局平坦化的一种超精密表面加工工艺。随着集成电路制造技术的发展，对晶圆表面缺陷的控制越来越严格。在晶圆制造过程中，晶圆表面会吸附颗粒或有机物等污染物而产生大量缺陷，需要后处理工艺去除这些缺陷。

特别是在化学机械抛光中大量使用的化学试剂和研磨剂会造成晶圆表面的污染，所以在抛光之后需要引入后处理工艺以去除晶圆表面的污染物，后处理工艺一般由清洗和干燥组成，以提供光滑洁净的晶圆表面。

清洗的目的是去除晶圆表面颗粒和各种化学物质，并在清洗过程中避免对表面和内部结构的腐蚀和破坏，目前常见的湿法清洗是在溶液环境下清洗晶圆，比如清洗剂浸泡、机械擦洗、湿法化学清洗等。

经过清洗后，晶圆表面会留存很多水或清洗液的残留物。由于这些水或清洗液的残留物中溶有杂质，如果让这些残留液体自行蒸发干燥，这些杂质就会重新粘结到晶圆的表面上，造成污染，甚至破坏晶圆的结构。为此，需要对晶圆表面进行干燥处理，以除去这些残留液体。传统的旋转干燥方式，由于干燥后残留的水膜厚度很大，可达微米级及以上，极易造成水痕缺陷。

综上，现有技术中存在晶圆干燥效果差，容易残留液体的问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种晶圆后处理系统，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

本发明实施例提供了一种晶圆后处理系统，包括：

清洗槽，用于容纳清洗晶圆的液体；

液体喷淋装置，设置在清洗槽上部并位于清洗槽内的液面之下，用于在晶圆向下移动浸入液体的过程中向晶圆表面喷淋液体以对晶圆进行冲洗；

马兰戈尼干燥装置，与液体喷淋装置平行、设置在清洗槽上部并位于清洗槽内的液面之上，用于在晶圆从液体中提升的过程中向晶圆表面附着的弯液面区域喷射干燥气体以进行马兰戈尼干燥；

晶圆支撑装置，安装在清洗槽内部下方，用于支撑晶圆并在第一定向和第二定向之间摆动以接收沿第一定向进入清洗槽内的晶圆并使晶圆沿第二定向移出清洗槽；

晶圆提升装置，用于从液体中沿第二定向提升浸没于其中的晶圆；

晶圆限位装置，设置在清洗槽内部，用于在晶圆沿第二定向上升的过程中在液面下对晶圆两侧进行限位；

其中，所述清洗槽在靠近所述液体喷淋装置的侧壁顶部设有溢流缺口，所述溢流缺口的位置低于所述马兰戈尼干燥装置；

晶圆限位装置包括设于所述清洗槽内侧壁的分别位于两端的两个向下延伸的垫块，所述垫块与晶圆接触的边缘处沿垫块长度方向设有缺口部，所述缺口部用于在晶圆沿第二定向倾斜时使晶圆边缘搭在其上，所述缺口部的用于搭载晶圆的底面宽度由下往上逐渐减小。

在一个实施例中，所述垫块与所述清洗槽的侧壁一体成型。