[发明专利]一种压电式麦克风及其制备工艺

权利要求书

1.一种压电式麦克风，包括具有背腔的基底和设于所述基底上的压电振膜，所述压电振膜包括固定于所述基底上的振膜层以及固定于所述振膜层上的压电单元，其特征在于：所述压电式麦克风还包括罩盖在所述振膜层上方的壳体，所述壳体和所述振膜层合围形成容置所述压电单元的收容腔，所述收容腔为真空环境。

2.根据权利要求1所述的压电式麦克风，其特征在于，所述壳体为硅、氮化硅、聚乙烯或玻璃材质。

3.根据权利要求1所述的压电式麦克风，其特征在于，所述基底包括合围形成所述背腔的侧壁，所述压电单元沿所述振膜层的振动方向的正投影与所述侧壁沿所述振膜层的振动方向的正投影部分重叠。

4.根据权利要求1所述的压电式麦克风，其特征在于，所述振膜层为整体连续结构。

5.根据权利要求1所述的压电式麦克风，其特征在于，所述压电单元包括多个压电片，多个所述压电片中心对称设置，相邻两个所述压电片之间间隔设置。

6.根据权利要求1所述的压电式麦克风，其特征在于，所述压电单元包括依次叠设于所述振膜层上的第一电极层、压电层以及第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层为铝、钼或钛材质，所述压电层为氮化铝、氧化锌、掺钪氮化铝或锆钛酸铅压电陶瓷材质。

7.根据权利要求1所述的压电式麦克风，其特征在于，所述振膜层为氮化铝、多晶硅、二氧化硅或氮化硅材质。

8.一种压电式麦克风的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：提供基底，在所述基底的表面沉积第一氧化层；

步骤S2：在所述第一氧化层的表面沉积振膜层；

步骤S3：在所述振膜层的表面沉积压电单元；

步骤S4：对所述压电单元进行刻蚀；

步骤S5：在所述压电单元的表面沉积形成罩盖在所述振膜层上方的壳体，所述壳体和所述振膜层合围形成容置所述压电单元的收容腔；

步骤S6：对所述基底背离所述振膜层的另一表面进行刻蚀，形成背腔。

9.根据权利要求8所述的制备工艺，其特征在于，所述步骤S5具体包括：

步骤S51：在所述压电单元的表面覆盖第二氧化层，并进行抛光和图案化处理；

步骤S52：在所述第二氧化层表面沉积第一密封层；

步骤S53：刻蚀所述第一密封层形成释放孔，释放所述第二氧化层以形成所述收容腔；

步骤S54：密封所述释放孔。

10.根据权利要求8所述的制备工艺，其特征在于，所述步骤S5具体包括：

步骤S501：在所述振膜层的边缘沉积周壁层，所述周壁层环绕所述压电单元；

步骤S502：提供第二密封层；

步骤S503：将所述周壁层和所述第二密封层进行键合形成所述壳体。