[发明专利]一种电极及其制备方法

说明书

本发明涉及一种电极及其制备方法，电极从下到上依次设置有基板、SiO₂膜、第一铟锡氧化物层和第二铟锡氧化物层，其中第二铟锡氧化物层中的Sn和In的组成比为50％或50％以上。电极制备方法包括，在基板上沉积一层SiO₂膜；制备第一铟锡氧化物层；准备铟锡有机络合物溶液，其中锡和铟的比例控制在50％或50％以上，将雾化后的络合物分解为氧化铟和氧化锡，扩散并沉积到第一铟锡氧化物层上，形成第二铟锡氧化物层。本发明中可以通过对第二铟锡氧化物层中Sn和In的组成比变化实现高功率函数和低电阻之间的平衡；而且可以通过将富含Sn的ITO膜即第二铟锡氧化物层和普通ITO膜即第一铟锡氧化物层结合使得电极的表面功函数很高，可以达到5.7eV，注入空穴能力强。

技术领域

本发明涉及电极制备技术领域，特别是涉及一种电极及其制备方法。

背景技术

有机太阳能电池是20世纪90年代发展起来的新型太阳能电池，它是以有机半导体作为实现光电转换的活性材料。与无机太阳能电池相比，它具有成本低、厚度薄、质量轻、制造工艺简单以及可以做成大面积柔性器件等优点。具有广阔的发展和应用前景，已成为当今新材料和新能源领域最富活力和生机的研究前沿之一。

而目前在制备有机光伏电池时，ITO(氧化铟锡)常被作为导电阳极使用，向电致发光材料中注入空穴。但ITO自身的缺点明显，ITO的表面功函数约为4.6-5.1eV，较低的功函数导致其向电致发光材料注入空穴的能力较差。因此，目前亟需一种注入空穴能力强的高功函数电极。

发明内容

本发明的目的是提供一种电极及其制备方法，电极功函数高，注入空穴能力强。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

一种电极，所述电极从下到上依次设置有：基板、SiO₂膜、第一铟锡氧化物层和第二铟锡氧化物层；其中所述第二铟锡氧化物层中的Sn和In的组成比为50％或50％以上。

可选的，所述第一铟锡氧化物层中的Sn和In的组成比为5％-10％。

可选的，所述基板为碱石灰玻璃。

一种电极制备方法，包括：

在基板上沉积一层SiO₂膜；

准备第一铟锡有机络合物溶液，其中锡和铟的比例分别控制在5％-10％；将所述第一铟锡有机络合物溶液进行雾化；将雾化后的第一络合物分解为氧化铟和氧化锡；再将所述第一络合物分解的氧化铟和氧化锡扩散并沉积到所述SiO₂膜上，形成第一铟锡氧化物层；

准备第二铟锡有机络合物溶液，其中锡和铟的比例控制在50％或50％以上；将所述第二铟锡有机络合物溶液进行雾化；将雾化后的第二络合物分解为氧化铟和氧化锡；再将所述第二络合物分解的氧化铟和氧化锡扩散并沉积到所述第一铟锡氧化物层上，形成第二铟锡氧化物层。

可选的，所述第二铟锡氧化物层的厚度为10m-30nm。

可选的，所述第一铟锡氧化物层的厚度为100nm-150nm。

可选的，所述在基板上沉积一层SiO₂膜，具体为：在基板上使用化学气相沉积法、物理气相沉积法或溶胶凝胶法沉积一层SiO₂膜。

可选的，所述将所述第一铟锡有机络合物溶液进行雾化，具体为：利用原液雾化装置将所述第一铟锡有机络合物溶液进行雾化。

可选的，所述第一铟锡有机络合物溶液和所述第二铟锡有机络合物溶液中的有机溶剂为乙醇、乙二醇或异丙醇。

可选的，所述基板为碱石灰玻璃。

根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：