[发明专利]一种对检测到的信号进行处理的方法及电路

权利要求书

1.一种对检测到的信号进行处理的电路，其特征在于，包括：

阻变存储器、负载电阻、电容器、外加电源；

所述阻变存储器与所述电容器并联，所述阻变存储器与所述负载电阻串联，所述外加电源施加外加电压于所述阻变存储器和所述负载电阻串联形成的电路两端；

将检测到的信号作为所述外加电压，经过所述对检测到的信号进行处理的电路的处理后，输出振荡信号；

其中，在所述外加电压超过第一阈值电压时，所述阻变存储器从高阻态转变为低阻态，且所述电容器开始放电；在所述外加电压降至第二阈值电压以下时，所述阻变存储器从低阻态转变为高阻态，且所述电容器开始充电；

基于所述电容器的充电时长、放电时长、以及经过所述充电和所述放电得到的振荡频率，获得所述振荡信号的波形；

所述振荡频率具体按照如下公式得到：

其中，f为所述振荡频率，α为缩小因子，V_in为所述外加电源的外加电压，V_th表示所述第一阈值电压，V_hold表示所述第二阈值电压，R_L表示所述负载电阻。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述负载电阻的阻值介于所述阻变存储器处于开状态的第一阻值与处于关状态的第二阻值之间。

3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述阻变存储器具体为双极型的阻变存储器。

4.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述阻变存储器，包括：

上电极层、下电极层以及所述上电极层与所述下电极层之间的阻变层。

5.如权利要求4所述的电路，其特征在于，所述阻变层为如下任意一种：

NbO_x层、HfO_x层和TiO_x层。

6.如权利要求4所述的电路，其特征在于，所述上电极层为Pt，下电极层为Ta。

7.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述充电时长按照如下公式得到：

其中，t_rise表示所述充电时长，R_r表示电容器开始充电状态时，所述阻变存储器的电阻，V_th表示所述第一阈值电压，V_hold表示所述第二阈值电压，V_DD表示所述阻变存储器的工作电压，C表示所述电容器的电容，R_L表示所述负载电阻；

R_r＝R_L//R_off，其中，R_off为所述阻变存储器处于关状态的第二阻值。

8.如权利要求7所述的电路，其特征在于，所述放电时长按照如下公式得到：

其中，t_fall表示所述放电时长，R_f表示电容器处于放电状态时，所述阻变存储器的电阻；

R_f＝R_L//R_on，其中，R_on为所述阻变存储器处于开状态的第一阻值。

9.一种对检测到的信号进行处理的方法，应用于权利要求1-8任一项中所述的对检测到的信号进行处理的电路中，其特征在于，包括：

获得检测到的信号，将所述检测到的信号作为外加电源的外加电压；

在所述外加电压超过第一阈值电压时，阻变存储器从高阻态转变为低阻态，且电容器开始放电；

在所述外加电压降至第二阈值电压以下时，所述阻变存储器从低阻态转变为高阻态，且所述电容器开始充电；

基于所述电容器的放电时长、充电时长以及经过所述充电和所述放电得到的振荡频率，获得振荡信号的波形。